Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Квантовый эффект Холла в графене — Википедия

Квантовый эффект Холла в графене

(перенаправлено с «Квантовый эффект Холла (графен)»)

Ква́нтовый эффе́кт Хо́лла в графене или необы́чный ква́нтовый эффе́кт Хо́лла — эффект квантования холловского сопротивления или проводимости двумерного электронного газа или двумерного дырочного газа в сильных магнитных полях в графене. Этот эффект был предсказан теоретически[1][2] и подтверждён экспериментально в 2005 году[3][4].

Уровни ЛандауПравить

Уровни Ландау в графене описываются уравнением Дирака для графена с учётом магнитного поля, которое можно записать в виде[5]

[ σ ( i v F + e A / c ) ] ψ ( x , y ) = ε ψ ( x , y )  

где использована калибровка Ландау для векторного потенциала A = ( B y , 0 )  , двумерный градиент равен = ( x , y )  , а вектор σ   составлен из матриц Паули ( σ 1 , σ 2 )  . В матричном виде уравнение запишется в виде

( 0 i v x v y + e B y i v F x + v y + e B y 0 ) ψ ( x , y ) = ε ψ ( x , y ) .  

Здесь можно легко разделить переменные и в итоге прийти к спектру для релятивистских уровней Ландау

ε n = ± ω c ~ n = ± v F 2 e B 2 n / c ,  

где n = 0 , 1 , 2 , . . .  , «циклотронная частота» равна ω c ~ = 2 v F l B  , магнитная длина l B = c e B .  

Квантовый эффект ХоллаПравить

Впервые необычный (англ. unconventional) квантовый эффект Холла наблюдали в работах[3][4], где было показано, что носители в графене действительно обладают нулевой эффективной массой, поскольку положения плато на зависимости недиагональной компоненты тензора проводимости соответствовали полуцелым значениям холловской проводимости ν = ± ( | n | + 1 / 2 )   в единицах 4 e 2 / h   (множитель 4 появляется из-за четырёхкратного вырождения энергии), то есть

σ x y = ± 4 e 2 h ( | n | + 1 2 )  .

Это квантование согласуется с теорией квантового эффекта Холла для дираковских безмассовых фермионов[1]. Сравнение целочисленного квантового эффекта Холла в обычной двумерной системе и графене смотрите на рисунке 1. Здесь показаны уширенные уровни Ландау для электронов (выделение красным цветом) и для дырок (синий цвет). Если уровень Ферми находится между уровнями Ландау, то на зависимости холловской проводимости σ x y   наблюдается ряд плато. Эта зависимость отличается от обычных двумерных систем (аналогом может служить двумерный электронный газ в кремнии, который является двухдолинным полупроводником в плоскостях эквивалентных {100}, то есть тоже обладает четырёхкратным вырождением уровней Ландау и холловские плато наблюдаются при ν = 4 | n |  ).

Квантовый эффект Холла (КЭХ) может использоваться как эталон сопротивления, потому что численное значение наблюдаемого в графене плато равное h / 2 e 2   выполняется с хорошей точностью, хотя качество образцов уступает высокоподвижному ДЭГ в GaAs, и, соответственно, точности квантования. Преимущество КЭХ в графене в том, что он наблюдается при комнатной температуре[6] (в магнитных полях свыше 20 Т). Основное ограничение на наблюдение КЭХ при комнатной температуре накладывает не само размытие распределения Ферми-Дирака, а рассеяние носителей на примесях, что приводит к уширению уровней Ландау.

 
Рис. 1. a) Квантовый эффект Холла в обычной двумерной системе. b) Квантовый эффект Холла в графене. g = g s g v = 4   — вырождение спектра

p-n-переходПравить

Из-за отсутствия запрещённой зоны в графене в структурах с верхним затвором можно сформировать непрерывный p-n-переход, когда напряжение на верхнем затворе позволяет инвертировать знак носителей, задаваемый обратным затвором в графене, где концентрация носителей никогда не обращается в ноль (кроме точки электронейтральности) и нет области лишённой носителей как в обычных p-n-переходах. В таких структурах тоже можно наблюдать квантовый эффект Холла, но из-за неоднородности знака носителей значения холловских плато отличаются от приведённых выше. Для структуры с одним p-n-переходом значения квантования холловской проводимости описываются формулой[7]

G = 2 e 2 h | ν | | ν | | ν | + | ν | ,  

где ν   и ν   — факторы заполнения в n- и p- области соответственно (p-область находится под верхним затвором), которые могут принимать значения ± 2 , ± 6 , ± 10   и т. д. Тогда плато в структурах с одним p-n-переходом наблюдаются при значениях 1, 3/2, 3, 5/3 и т. д. Такие значения плато были наблюдены в эксперименте.[8]

p-n-p переходПравить

Для структуры с двумя p-n-переходами[9] соответствующие значения холловской проводимости равны

G = e 2 h | ν | | ν | 2 | ν | + | ν | = 2 3 , 6 5 , 6 7 , . . . ( ν ν < 0 ) .  

Расщепление основного уровня ЛандауПравить

В работе[10] наблюдается спиновое расщепление релятивистских уровней Ландау и снятие четырёхкратного вырождения для наинизшего уровня Ландау вблизи точки электронейтральности. Для объяснения этого эффекта предложено несколько теорий[11].

См. такжеПравить

СсылкиПравить

  1. 1 2 Gusynin V. P. et al. «Unconventional Integer Quantum Hall Effect in Graphene» Phys. Rev. Lett. 95, 146801 (2005) doi:10.1103/PhysRevLett.95.146801
  2. Peres N. M. R., et. al. Electronic properties of disordered two-dimensional carbon Phys. Rev. B 73, 125411 (2006) doi:10.1103/PhysRevB.73.125411
  3. 1 2 Novoselov K. S. et al. «Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene», Nature 438, 197 (2005) doi:10.1038/nature04233
  4. 1 2 Zhang Y.et. al. «Experimental observation of the quantum Hall effect and Berry’s phase in graphene» Nature 438, 201 (2005) doi:10.1038/nature04235
  5. Peres N. M. R. et. al. „Algebraic solution of a graphene layer in transverse electric and perpendicular magnetic fields“J. Phys.: Condens. Matter 19, 406231 (2007) doi:10.1088/0953-8984/19/40/406231
  6. Novoselov K. S. et. al. Room-Temperature Quantum Hall Effect in Graphene Science 315, 1379 (2007) doi:10.1126/science.1137201
  7. Abanin D. A., Levitov L. S. Quantized Transport in Graphene p-n Junctions in a Magnetic Field Science 3, 641 (2007) doi:10.1126/science.1144672
  8. Williams J. R. et. al. Quantum Hall Effect in a Gate-Controlled p-n Junction of Graphene Science 317, 638 (2007) doi:10.1126/science.1144657
  9. Özyilmaz B. et. al. Electronic Transport and Quantum Hall Effect in Bipolar Graphene p-n-p Junctions Phys. Rev. Lett. 99, 166804 (2007) doi:10.1103/PhysRevLett.99.166804
  10. Zhang Y., et al., «Landau-Level Splitting in Graphene in High Magnetic Fields» Phys. Rev. Lett. 96, 136806 (2006) doi:10.1103/PhysRevLett.96.136806
  11. Fuchs J. et al. Spontaneous Parity Breaking of Graphene in the Quantum Hall Regime Phys. Rev. Lett. 98, 016803 (2007) doi:10.1103/PhysRevLett.98.016803; Nomura K. et al., Quantum Hall Ferromagnetism in Graphene Phys. Rev. Lett. 96, 256602 (2006) doi:10.1103/PhysRevLett.96.256602; Abanin D. A. et al., Spin-Filtered Edge States and Quantum Hall Effect in Graphene Phys. Rev. Lett. 96, 176803 (2006) doi:10.1103/PhysRevLett.96.176803; Fertig H. A. et al., Luttinger Liquid at the Edge of Undoped Graphene in a Strong Magnetic Field Phys. Rev. Lett. 97, 116805 (2006) doi:10.1103/PhysRevLett.97.116805; Goerbig M. O. et al., Electron interactions in graphene in a strong magnetic field Phys. Rev. B 74, 161407 (2006) doi:10.1103/PhysRevB.74.161407; Alicea J. et al., Graphene integer quantum Hall effect in the ferromagnetic and paramagnetic regimes Phys. Rev. B 74, 075422 (2006) doi:10.1103/PhysRevB.74.075422; Gusynin V. P. et al., Excitonic gap, phase transition, and quantum Hall effect in graphene Phys. Rev. B 74, 195429 (2006) doi:10.1103/PhysRevB.74.195429