Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН — Википедия
Википедия

Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН

Статья Обсуждение
(перенаправлено с «Институт физики полупроводников СО РАН»)

Институ́т фи́зики полупроводнико́в им. А. В. Ржанова — один из крупнейших институтов Новосибирского научного центра Сибирского отделения РАН. Основан в 1964 году. У истоков создания ИФП стоял крупный учёный академик Анатолий Васильевич Ржанов[3].

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
(ИФП СО РАН)
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова.jpg
Международное название Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
Основан 1964
Директор А. В. Латышев[1]
Сотрудников 1000 (2016)[2]
Расположение  Россия, Новосибирск
Юридический адрес 630090, Новосибирск, проспект Академика Лаврентьева, 13
Сайт isp.nsc.ru
Логотип Викисклада Медиафайлы на Викискладе

В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования — ЦКП «Наноструктуры».

В Институте работает около 1000 человек, в том числе в филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» — около 220 человек. Общее число научных сотрудников — 227 человек из них, 2 академика РАН, 4 член-корреспондента РАН, 41 доктор наук; 140 кандидатов наук.

Из-за вторжения России на Украину институт находится под санкциями всех стран Евросоюза[4], Японии[5], Канады[6] и США[7].

Научные направленияПравить

Основными направлениями научной деятельности института являются:

ИсторияПравить

Институт был основан в 1964 году на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года)[9]. В 2003 году к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление Президиума РАН № 224 от 1 июля 2003 года). В 2005 году к ИФП СО РАН был присоединён в качестве филиала Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН № 274 от 29 ноября 2005 года). В 2006 году Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года)[10]. Постановлением Президиума РАН № 262 от 13 декабря 2011 года Институт переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Постановлением Президиума СО РАН № 440 от 14 декабря 2012 года в целях совершенствования структуры Института Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук исключен из состава Института.

В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Учреждение передано в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).

Директора ИнститутаПравить

СтруктураПравить

 
Здание (лабораторн-технологический корпус, ЛТК) института в 2013 году

В состав института входят следующие научные подразделения (более 20 лабораторий, филиал):[11][12]

Научные отделыПравить

  • Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов, руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор О. П. Пчеляков
    • Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур, зав.лаб., к.т. н. С. В. Рыхлицкий
    • Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5, зав.лаб., к.ф.-м.н. А. И. Никифоров
    • Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур, зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Преображенский
  • Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, руководитель отдела академик А. Л. Асеев
    • Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии , зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. А. В. Латышев
    • Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5 , зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор, член-корр. РАН З. Д. Квон
  • Отдел инфракрасных оптоэлектронных устройств на основе КРТ , руководитель отдела д.ф.-м.н. Ю. Г. Сидоров
    • Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6, зав.лаб., к.ф.-м.н. С. А. Дворецкий
    • Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6, зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Васильев
  • Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, руководитель отдела член-корр. РАН, профессор, И. Г. Неизвестный
    • Лаборатория физики и технологии гетероструктур зав, зав.лаб., д.ф.-м.н. А. Э. Климов
    • Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники , руководитель группы, член-корр. РАН И. Г. Неизвестный
  • Отдел физики и техники полупроводниковых структур , руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор, В. Н. Овсюк
    • Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках , и. о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Д. Г. Есаев
    • Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5, зав.лаб., к.ф.-м.н. А. И. Торопов

ЛабораторииПравить

  • Лаборатория теоретической физики , зав.лаб., академик, профессор А. В. Чаплик
  • Лаборатория вычислительных систем, зав.лаб., д.т. н. К. В. Павский
  • Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик, зав.лаб., к.х.н. О. И. Семенова
  • Лаборатория оптических материалов и структур , зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Атучин
  • Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур , зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор В. Я. Принц
  • Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках , зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор, А. С. Терехов
  • Лаборатория физических основ материаловедения кремния , зав.лаб., д.ф-м.н. В. П. Попов
  • Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники , и. о.зав. лаб., д.ф.-м.н. А. П. Ковчавцев
  • Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники , зав.лаб., д.ф.-м.н. О. В. Наумова
  • Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем . зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор, А. В. Двуреченский
  • Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий , зав.лаб., д.ф.-м.н. Н. Н. Рубцова
  • Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики , зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. И. И. Рябцев
  • Лаборатория мощных газовых лазеров , зав.лаб., к.ф.-м.н. Д. Э. Закревский

Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИПМ»Править

  • Научно-исследовательский отдел фотохимических технологий
  • Научно-исследовательский отдел тепловидение и телевидения
  • Тематический отдел конструирования оптико-электронных приборов
  • Тематический отдел электронных систем
  • Тематический отдел моделирования оптико-электронных приборов
  • Тематический отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий
  • Тематический отдел специального технологического оборудования

Известные учёныеПравить

ДирекцияПравить

Научная инфраструктураПравить

Центр коллективного пользованияПравить

В Институте действует центр коллективного пользования «Наноструктуры»[1] Архивная копия от 19 апреля 2016 на Wayback Machine в котором, проводят исследования различными методами электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава, осуществляется контроль атомарных поверхностей, создаются структуры пониженной размерности для наноэлектроники.

ЦКП создан на базе Новосибирского государственного университета и ряда Институтов СО РАН: ИФП, ИК, ИНХ. Руководитель: член-корр. РАН, профессор А. В. Латышев.

Уникальные научные установкиПравить

Автоматизированная многомодульная сверхвысоковакуумная установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М» (МЛЭ КРТ «Обь-М») [2] Архивная копия от 19 апреля 2016 на Wayback Machine

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М», разработанная и изготовленная в ИФП СО РАН. Установка используется для выращивания наногетероэпитаксиальных структур твердых растворов теллуридов кадмия и ртути (КРТ) и фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из кремния и арсенида галлия.

Уникальная научная установка «Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс» (УНУ «МАССК-ИФП»)[3] Архивная копия от 19 апреля 2016 на Wayback Machine

Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс «МАССК-ИФП» разработан в ИФП СО РАН и не имеет аналогов в РФ. Единственный упрощенный прототип этого оборудования установлен в Токийском технологическом университете в Японии. Уникальный комплекс высокотехнологичного оборудования МАССК-ИФП, входящий в состав ЦКП «Наноструктуры» при ИФП СО РАН, обеспечивает проведение диагностики и прецизионное управление атомными процессами, протекающими на поверхности кристаллов на субангстремном уровне.

См. такжеПравить

ПримечанияПравить

  1. ↑ 1 2 Руководство ИФП СО РАН  (неопр.). Дата обращения: 13 октября 2010. Архивировано 22 февраля 2014 года.
  2. ↑ Общие сведения об ИФП СО РАН  (неопр.). Дата обращения: 13 октября 2010. Архивировано 12 сентября 2011 года.
  3. ↑ Новосибирск. Энциклопедия / Гл.ред. Ламин В. А. — Новосибирск: Новосибирское книжное издательство, 2003. — С. 379. — 1071 с. — ISBN 5-7620-0968-8. Архивировано 2 сентября 2017 года.
  4. ↑ Official Journal of the European Union. Council Decision (CFSP) 2022/2478 (англ.). European Union law (16 декабря 2022). Дата обращения: 20 января 2023.
  5. ↑ ЧВК Вагнер, «Росбанк» и «Русское имперское движение»: Япония объявила о новом раунде санкций  (рус.). RFI (28 февраля 2023). Дата обращения: 23 марта 2023.
  6. ↑ КОРМАШОВА Мария. Канада ввела санкции в отношении машиностроительных заводов РФ  (рус.). Информационно-аналитический портал «Технология машиностроения MASHNEWS». Дата обращения: 8 марта 2023.
  7. ↑ Russia-related Designations; Issuance of Russia-related General License and Frequently Asked Questions; Zimbabwe-related Designation, Removals and Update; Libya-related Designation Update (англ.). U.S. Department of the Treasury. Дата обращения: 20 сентября 2022. Архивировано 19 сентября 2022 года.
  8. ↑ Основные направления научной деятельности  (неопр.). Дата обращения: 3 апреля 2022. Архивировано 19 апреля 2016 года.
  9. ↑ История Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН  (неопр.). Дата обращения: 3 апреля 2022. Архивировано 19 апреля 2016 года.
  10. ↑ История Института  (неопр.). Дата обращения: 3 апреля 2022. Архивировано 19 апреля 2016 года.
  11. ↑ Структурная схема Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН  (неопр.). Дата обращения: 13 октября 2010. Архивировано 21 ноября 2011 года.
  12. ↑ Научные подразделения Института  (неопр.). Дата обращения: 13 октября 2010. Архивировано 19 апреля 2016 года.

СсылкиПравить

Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Институт_физики_полупроводников_имени_А._В._Ржанова_СО_РАН&oldid=129405868