Латышев, Александр Васильевич

Александр Васильевич Латышев
Александр Васильевич Латышев
Дата рождения	4 января 1959(1959-01-04) (64 года)
Страна	СССР → Россия
Научная сфера	физика полупроводников
Место работы	Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Альма-матер	Новосибирский государственный университет
Учёная степень	доктор физико-математических наук
Учёное звание	академик РАН (2016)

Александр Васи́льевич Латышев (род. 4 января 1959 год) — российский учёный, специалист в области синтеза пленочных и наноразмерных полупроводниковых структур из молекулярных пучков, полупроводниковых нанотехнологий для нового поколения элементной базы наноэлектроники и структурной диагностики низкоразмерных систем, доктор физико-математических наук, академик (2016), директор Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (с 2013 год), заведующий лабораторией нанодиагностики и нанолитографии (с 1998 год).

БиографияПравить

Родился 4 января 1959 года.

Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета.

С 1998 г. возглавляет лабораторию нанодиагностики и нанолитографии.

С 2007 г. занимает должность заместителя директора по научной работе Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

В 2008 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «наноэлектроника»).

С 2013 г. занимает должность директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

Под руководством А. В. Латышева защищено 3 кандидатских диссертации. Является автором и соавтором более 250 научных публикаций, 3 монографий, 9 глав в коллективных монографиях, 6 патентов.

Научные интересыПравить

Основным направлением научной деятельности Латышева А. В. является изучение механизмов атомных процессов на поверхности и границах раздела при формировании полупроводниковых систем пониженной размерности для нового поколения элементной базы микро- и наноэлектроники. Результаты его работ создают основу современного электронного материаловедения.

Латышевым А. В. с сотрудниками ведутся работы по совершенствованию имеющихся и созданию новых методов нанолитографии, в частности, в руководимой им лаборатории методами высокоразрешающей электронно-лучевой литографии получены структуры с размерами до 10 нм, в которых наблюдались квантовые явления при переносе заряда. Особые успехи были получены в работах по развитию методов нанолитографии с применением сканирующих зондовых микроскопов.

Под руководством Латышева А. В. в ИФП СО РАН проводятся многочисленные исследования по диагностике полупроводниковых материалов и приборов микро и наноэлектроники методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии, а также сканирующей зондовой микроскопии на основе атомно-силового микроскопа.

Научные достиженияПравить

Наиболее значительным результатом работ Латышева А. В. явилось создание уникальной системы сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для in situ характеризации атомных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии, твердофазных реакциях и взаимодействии газов с поверхностью монокристаллического кремния. Латышевым А. В. выполнен цикл пионерских работ по изучению структурных перестроек на поверхностях кремния, которые внесли принципиально новое понимание в физику формирования субмонослойных покрытий. Впервые был теоретически обоснован и экспериментально открыт эффект электромиграции адсорбированных атомов кремния, который вызывает перераспределение элементарных атомных ступеней на поверхности кремния. Впервые установлено влияние поверхностных фазовых переходов на кластерирование моноатомных ступеней на поверхности кремния, установлена структура высокотемпературной поверхности кремния, обнаружено аномальное движение ступеней при сверхструктурном переходе. Полученные результаты использованы для разработки и совершенствования технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и дают пути создания новых приборов полупроводниковой наноэлектроники на основе обнаруженных эффектов самоорганизации на поверхности кремния.

Награды и почётные званияПравить

Премия Правительства РФ в области образования (2014 г.)^[1]

ПримечанияПравить

↑ Распоряжение Правительства Российской Федерации от 31 июля 2014 N 1438-р «О присуждении премий Правительства Российской Федерации 2014 года в области образования»

СсылкиПравить

Профиль Александра Васильевича Латышева на официальном сайте РАН
Страница А. В. Латышева на сайте Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН

[1] Распоряжение Правительства Российской Федерации от 31 июля 2014 N 1438-р «О присуждении премий Правительства Российской Федерации 2014 года в области образования»

[1]