Квон, Зе Дон

Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон
Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон
Дата рождения	3 ноября 1950(1950-11-03) (72 года)
Место рождения	пос. Быков, Долинский район, Сахалинская область, РСФСР, СССР
Страна	СССР→ Россия
Научная сфера	физика конденсированного состояния
Место работы	Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, НГУ
Альма-матер	НГУ
Учёная степень	доктор физико-математических наук (1992)
Учёное звание	профессор (1993); член-корреспондент РАН (2022)

Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон (род. 3 ноября 1950 года) — советский и российский учёный-физик, специалист в области физики конденсированного состояния, член-корреспондент РАН (2022).

БиографияПравить

Родился 3 ноября 1950 года в поселке Быков Долинского района Сахалинской области.

В 1973 году — окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, а в 1978 году — аспирантуру Института физики полупроводников имени А. Ф. Иоффе РАН

Работает в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, с 1998 года — заведующий лабораторией физики и технологии структур на основе полупроводников А₃В₅.

В 1980 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Исследование свойств инверсионных каналов в германиевых МДП-структурах».

В 1992 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Квантовые явления в тонких полупроводниковых слоях и микроструктурах на их основе».

С 1984 года — одновременно ведет преподавательскую деятельность в НГУ, с 1993 года — профессор кафедры полупроводников.

В 2022 году — избран членом-корреспондентом от Отделения физических наук РАН.

Научная деятельностьПравить

Специалист в области физики конденсированного состояния.

Основная сфера научных интересов — изучение квантовых квантовых свойств низкоразмерных электронных систем и наноструктур.

Ведет сам и возглавляет исследования целого ряда новых явлений в полупроводниковых и металлических низкоразмерных системах и наноструктурах: квантовые интерференционные эффекты в системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием, подавление слабой локализации микроволновым полем, стохастическая динамика двумерных электронов, мезоскопический фотогальванический эффект и мезоскопическая термоэдс, осцилляции Ааронова-Бома в сверхмалых полупроводниковых интерферометрах, обусловленное эффектами памяти отрицательное магнитосопротивление, эффекты близости и андреевское отражение в мезоскопических переходах сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник, магнитный пробой двумерного топологического изолятора, осцилляции магнитосопротивления, индуцированные терагерцовым излучением, межзонные переходы в трехмерном топологическом изоляторе.

Впервые определены величина рашбовского спинового расщепления в двумерных электронных системах без центра инверсии, созданы и исследованы новые разновидности твердотельных электронных биллиардов и обнаружены устойчивые электронные траектории и фрактальной структура их фазового пространства. Обнаружены двумерный полуметалл в HgTe квантовых ямах и Андерсоновская локализации в двумерной электронно-дырочной системе. Всесторонне и последовательно исследованы двумерные и трехмерные топологические изоляторов на основе HgTe и на основе этого впервые наблюдались различные сценарии Андерсоновской локализации, а также явления, связанные с жесткой связью спина и электрона.

СсылкиПравить

Профиль Зе Дон (Дмитрия Харитоновича) Квона на официальном сайте РАН
Профиль Зе Дон (Дмитрия Харитоновича) Квона на математическом портале Math-Net.Ru
Квон Зе Дон (Дмитрий Харитонович). Объединение учителей Санкт-Петербурга (неопр.). eduspb.com. Дата обращения: 24 декабря 2022.