Эффект Кирка

Эффект Кирка — явление увеличения толщины базы биполярного транзистора, вызываемое ростом тока коллектора выше некоторой величины $I_{CK}$$I_{CK}$ при прочих неизменных условиях.

Объясняется повышением концентрации неосновных носителей в базе при больших токах коллектора, которая вызывает уменьшение толщины области пространственного заряда коллекторного перехода, и, таким образом увеличение толщины базы. Пороговая величина тока коллектора $I_{CK}$$I_{CK}$, начиная с которой возникает эффект Кирка, определяется из условия превышения концентрации электронов, вызванной протеканием тока $I_{CK}$$I_{CK}$ над концентрацией примеси $N_B$$N_{B}$ на границе базы со стороны коллектора, то есть из условия $\frac{I_{CK}}{Se{v}_s}>N_B$${\frac {I_{CK}}{Sev_{s}}}>N_{B}$. Отсюда следует: $I_{CK}>Se{v}_s{N}_B$$I_{CK}>Sev_{s}N_{B}$ Эффект Кирка уменьшает коэффициент усиления по току ${\mathrm{\beta <!--\; \beta \; -->}}_F=\frac{|I_C|}{|I_B|}$$\beta _{F}={\frac {|I_{C}|}{|I_{B}|}}$ и увеличивает время пролета неосновных носителей через базу.

См. такжеПравить

• Эффект Эрли

ЛитератураПравить

• Сугано, Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику. — М. : Мир, 1988. — С. 102. — ISBN 5-03-001109-9.