Энергия сродства к электрону

Эне́ргия сродства́ к электро́ну, или сродство к электрону — энергия, выделяющаяся или поглощающаяся в процессе присоединения электрона к атому, молекуле или многоатомной системе.

В химии и атомной физикеПравить

 

Зависимость сродства к электрону атома от атомного номера элемента (экзоэнергетический эффект указан со знаком минус, эндоэнергетический эффект со знаком плюс)

 

Зависимость модуля энергии сродства к электрону (эВ) от атомного номера

В химии и атомной физике, под объектом, к которому будет присоединяться электрон, подразумевается свободный атом в его основном состоянии или молекула, превращающиеся при этом в отрицательный ион A⁻:

$\mathsf{A}\mathsf{+}{\mathsf{e}}^{\mathsf{-<!--\; -\; -->}}\to <!--\; \to \; -->{\mathsf{A}}^{\mathsf{-<!--\; -\; -->}}\mathsf{+}\mathrm{\epsilon <!--\; \epsilon \; -->}.$${\mathsf {A+e^{-}\rightarrow A^{-}+\varepsilon }}.$ 

Здесь $\mathrm{\epsilon <!--\; \epsilon \; -->}$$\varepsilon$  — энергия сродства к электрону.

Так понимаемое cродство к электрону численно равно и противоположно по знаку энергии ионизации соответствующего изолированного однозарядного аниона. Оно выражается в килоджоулях на моль (кДж/моль) или в электрон-вольтах на атом (эВ/атом).

В отличие от ионизационного потенциала атома, имеющего всегда эндоэнергетическое значение, сродство атома к электрону описывается как экзоэнергетическими, так и эндоэнергетическими значениями.

Таблица 1 Энергия сродства некоторых атомов к электрону, эВ

Элемент	ε	Элемент	ε	Элемент	ε
H	0,754	Na	0,548	K	0,502
He	-0,54	Mg	-0,4	Ca	-0,3
Li	0,618	Al	0,441	Sc	0,14
Be	-0,5	Si	1,385	Ti	-0,40
B	0,277	P	0,747	V	-0,94
C	1,263	S	2,077	Cr	-0,98
N	-0,07	Cl	3,617	Mn	1,07
О	1,461	Br	3,365	Fe	-0,58
F	3,399	I	3,06	Co	-0,94
Ne	-1,2(2)			Ni	-1,28
				Cu	-1,80

Сродство к электрону определяет окислительную способность частицы. Молекулы с большим сродством к электрону являются сильными окислителями. Наибольшим сродством к электрону обладают элементы 1 и 7 группы (p-элементы VII группы). Наименьшее сродство к электрону у атомов с конфигурацией s² (Be, Mg, Zn) и s²p⁶ (Ne, Ar) или с наполовину заполненными p-орбиталями (N, P, As):

Таблица 2

	Li	Be	B	C	N	O	F	Ne
Электронная конфигурация	s1	s2	s2p1	s2p2	s2p3	s2p4	s2p5	s2p6
ε, эВ	-0,59	0,19	-0,30	-1,27	0,21	-1,47	-3,45	0,22

Небольшие расхождения в цифрах между табл. 1 и табл. 2 обусловлены тем, что данные взяты из разных источников, а также погрешностью измерений.

Наибольшее значение сродства к электрону имеет гексафторид платины: 7,00±0,35 эВ.

В физике твёрдого телаПравить

 

Сродство к электрону $E_{ea}$$E_{ea}$  и важнейшие энергии в полупроводнике: $E_v$$E_{v}$  — потолок валентной зоны, $E_c$$E_{c}$  — дно зоны проводимости.

 

Зонная диаграмма области границы полупроводник — вакуум.

В физике твёрдого тела, в физике полупроводников и диэлектриков, под сродством к электрону понимается расстояние по энергии между краем зоны проводимости материала и минимальной энергией электрона в вакууме.

Это расстояние равно энергии, выделяющейся при перемещении электрона из вакуума (уровень энергии $E_{vac}$$E_{vac}$ ) в среду, с попаданием данного электрона на дно зоны проводимости $E_c$$E_{c}$ .

В таком случае объектом, принимающим электрон, становится не отдельный атом или молекула, а толща материала. Для энергии сродства к электрону в физике твёрдого тела используется обозначение $\mathrm{\chi <!--\; \chi \; -->}$$\chi$  или $E_{ea}$$E_{ea}$  (от англ. electron affinity):

$E_{ea}\equiv <!--\; \equiv \; -->\mathrm{\chi <!--\; \chi \; -->}=E_{vac}-<!--\; -\; -->E_c$$E_{ea}\equiv \chi =E_{vac}-E_{c}$ ,

а единицей измерения выступает электрон-вольт.

Численные значения величины $\mathrm{\chi <!--\; \chi \; -->}$$\chi$  существенно отличаются от значений $\mathrm{\epsilon <!--\; \epsilon \; -->}$$\varepsilon$  для отдельных атомов того же вещества. Например, сродство к электрону в случае кремниевого кристалла составляет 4.05 эВ, а для атома кремния 1.39 эВ/атом.

Знание величин $\mathrm{\chi <!--\; \chi \; -->}$$\chi$  важно для построения энергетических зонных диаграмм многослойных гетероструктур, так как от этих величин зависит разрыв зон на гетерограницах.

Наряду со сродством к электрону при изучении структур с полупроводниками используется понятие работы выхода. Последняя равна разности $W=E_{vac}-<!--\; -\; -->E_F$$W=E_{vac}-E_{F}$  между уровнем вакуума $E_{vac}$$E_{vac}$  и энергией Ферми вблизи поверхности рассматриваемого материала. При этом, если $\mathrm{\chi <!--\; \chi \; -->}$$\chi$  практически не зависит от концентрации легирующих примесей и наличия внешнего напряжения, то $W$$W$  может варьироваться. Такое варьирование обусловлено сменой положения $E_F$$E_F$  по отношению к краям энергетических зон $E_v$$E_{v}$ , $E_c$$E_{c}$ .

ЛитератураПравить

1. Ахметов Н. С. Актуальные вопросы курса неорганической химии. — М.: Просвещение, 1991. — 224 с. ISBN 5-09-002630-0
2. Корольков Д. В. Основы неорганической химии. — М.: Просвещение, 1982. — 271 с.