Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Принц, Виктор Яковлевич — Википедия
Википедия

Принц, Виктор Яковлевич

В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Принц.

Ви́ктор Я́ковлевич Принц (21 апреля 1950, Тавда, Свердловская область[1] — 24 июня 2021, Новосибирск, Новосибирская область[2]) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (2005), член-корреспондент РАН (2019)[5][6]. Специалист в области полупроводников и нанотехнологий. Занимался вопросами диагностики и контроля качества многослойных структур[5]. Разработал технологию создания трёхмерных наноструктур из планарных гетероструктур[7], состоящих из полупроводников, металлов, диэлектриков[8] и двумерных материалов. Инициировал работы по созданию самоформирующихся массивов трёхмерных наноструктур: монокристаллических нанонитей и нанокристаллов со встроенными металлическими наноиглами[5][9].

Виктор Яковлевич Принц
Принц Виктор Яковлевич.jpg
Дата рождения 21 апреля 1950(1950-04-21)
Место рождения Тавда Свердловской области, СССР [1]
Дата смерти 24 июня 2021(2021-06-24) (71 год)
Страна  СССР→ Россия
Научная сфера нанотехнологии[2]
Место работы Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН[2]
Альма-матер Новосибирский государственный университет[3]
Учёная степень доктор физико-математических наук (2005)[4]
Учёное звание член-корреспондент РАН (2019)[5]

БиографияПравить

Родился 21 апреля 1950 года в городе Тавда, Свердловская область[1].

В 1972 году окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика»[3]. С этого же года начал работать в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в должностях младшего, старшего научного сотрудника[10]. В 1981 году защитил кандидатскую диссертацию «Исследование электрически активных центров в арсениде галлия и твёрдых растворах на его основе методами ёмкостной спектроскопии» под руководством Александра Филипповича Кравченко[4]. В начале 1980-х годов В. Я. Принц занимался прикладными исследованиями, связанными с микроэлектроникой. В частности решал проблему контроля качества полупроводниковых материалов, используемых для создания интегральных схем и СВЧ полевых транзисторов[11][12].

С 1992 года — заведующий лабораторией физики и технологии трёхмерных наноструктур[10]. В начале 90-х годов заинтеросовался напряжёнными плёнками полупроводников и исследовал управляемые трещины в них[11]. Разработка технологии сворачивания напряжённых двойных слоёв привела к появлению нового раздела наномеханики в 2000 году, которое впоследствии получило название Принц-технологии в русскоязычной литературе[11][13][8][14]. 18 октября 2005 года защитил докторскую диссертацию «Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряжённых гетероструктур»[4][15] (официальные оппоненты В. Н. Брудный, Н. Ф. Морозов, А. В. Окотруб).

Являлся экспертом по физике и нанотехнологии «Сколково», РФФИ, группу ОНЭКСИМ, входил в федеральный реестр экспертов ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ[10]. На протяжении многих лет являлся рецензентом журналов издательства IOP Publishing. Член редколлегии научного журнала ISRN Nanotechnology[10].

Автор 140 научных работ, 34 патентов и 4 монографий[5] (согласно другим данным: 240 статей и 120 патентов[16]). По состоянию на январь 2021 года имеет более 2600 цитирований (Web of Science) своих работ[17]. Индекс Хирша — 22[18].

Умер 24 июня 2021 года[2] от COVID-19[19]. Похоронен на Южном кладбище Новосибирска[20].

Научный вкладПравить

Основная статья: Принц-технология

Тройные растворы полупроводников с сотавом типа AxC1-xB (например In0,25Ga0,75As) имеют отличающуюся от полупроводников AIIIBV (например GaAs, InAs) постоянную решётки, поэтому при эпитаксиальном росте в таких структурах возникают сильные напряжения. Такой рост называют псевдоморфным и существует критическая толщина плёнки, при которой она остаётся согласованной по постоянной решётке с подложкой[21]. Для пары материалов GaAs и InAs разница в постоянных решётки достигает 7,2 %, то есть возможно вырастить только плёнку толщиной в несколько монослоёв на подложке InP. GaAs и InAs подстраиваются под постоянную решётки InP, в результате формируя биплёнку, состоящую из сжатого слоя InAs и растягутого — GaAs. В. Я. Принц предложил[13] использовать биплёнки с асимметричным напряжением выращенных на InP подложке с дополнительным тонким слоем AlAs, расположенным между подложкой и псевдоморфной плёнкой[22]. Если теперь удалить жертвенный слой (AlAs) посредством селективного травления, релаксация напряжений в бислое приводит к сворачиванию структуры, формируя свиток с диаметром порядка D ≈ d a / Δ a ,   где d — толщина биплёнки, a — постоянная решётки, Δa — разница в постоянных решётки между двумя плёнками[22]. Полученные трубки имели диаметр в диапазоне между 3 нм и 10 мкм. Из-за анизотропии модуля Юнга ориентируя узкие полоски бислоёв на подложки можно создавать спирали и кольца[23]. Управляя составом (постоянной решёткой) и толщиной бислоя можно управлять размером трёхмерных наноструктур. В 2001 году были продемонстрированы различные свободные трёхмерные массивы наноструктур на основе GexSi1-x псевдоморфных плёнок[24][25].

Диоксид ванадия может испытывать фазовый переход из проводника в диэлектрик при комнатной температуре, при котором меняются параметры его кристаллической структуры на один процент, что вызывает формирование больших напряжений и приводит к разрушению кристаллов. Создавая малую площадь кремниевой подложки и фиксируя температуру роста VO2 около 460 °C, можно получить монокристаллы диоксида ванадия на остриях кремниевых игл[26].

СтатьиПравить

Основные статьи
Статьи на русском языке
Диссертации

ПримечанияПравить

  1. ↑ 1 2 3 Казарина Галина. Атом насущный  (рус.). https://expert.ru/. Эксперт (11 июня 2007). Дата обращения: 18 июля 2021.
  2. ↑ 1 2 3 4 Невосполнимая утрата  (рус.). https://www.isp.nsc.ru/. Институт физики полупроводников СО РАН (25 июня 2021). Дата обращения: 18 июля 2021. Архивировано 18 июля 2021 года.
  3. ↑ 1 2 Коллеги, друзья, родные. Звезда по имени Виктор Яковлевич Принц  (рус.). https://navigato.ru/. Навигатор. Дата обращения: 18 июля 2021. Архивировано 19 июля 2021 года.
  4. ↑ 1 2 3 Защищённые диссертации  (рус.). https://www.isp.nsc.ru/. Институт физики полупроводников СО РАН. Дата обращения: 18 июля 2021. Архивировано 18 июля 2021 года.
  5. ↑ 1 2 3 4 5 Принц Виктор Яковлевич  (рус.). http://www.ras.ru/. Российская академия наук (24 июня 2021). Дата обращения: 18 июля 2021. Архивировано 24 июня 2021 года.
  6. ↑ Поздравляем Виктора Яковлевича Принца с ...  (рус.) https://www.isp.nsc.ru/. Институт физики полупроводников СО РАН. Дата обращения: 18 июля 2021. Архивировано 19 июля 2021 года.
  7. ↑ Adrian Cho. Pretty as You Please, Curling Films Turn Themselves into Nanodevices // Science. — 2006. — Т. 313. — С. 164—165. — doi:10.1126/science.313.5784.164.
  8. ↑ 1 2 С. Чикичев. Принц-технология: 10 лет спустя  (рус.). http://perst.issp.ras.ru/. Перст. Дата обращения: 18 июля 2021. Архивировано 19 июля 2021 года.
  9. ↑ Учёные из Новосибирского Академгородка создали ...  (рус.) https://www.isp.nsc.ru/. Институт физики полупроводников СО РАН. Дата обращения: 18 июля 2021. Архивировано 19 июля 2021 года.
  10. ↑ 1 2 3 4 Руководитель.
  11. ↑ 1 2 3 Лаборатория физики и технологии трёхмерных наноструктур. История  (рус.). https://www.isp.nsc.ru/. Институт физики полупроводников СО РАН. Дата обращения: 18 июля 2021. Архивировано 19 июля 2021 года.
  12. ↑ Принц, Виктор Яковлевич - Исследование электрически активных центров в арсениде га ...  (рус.) https://rsl.ru. Российская Государственная Библиотека (29 апреля 2017). Дата обращения: 20 июля 2021. Архивировано 20 июля 2021 года.
  13. ↑ 1 2 Prinz et al., 2000.
  14. ↑ А. Асеев. Физика полупроводников, наноэлектроника и нанотехнологии // Наука в Сибири. — 2006. — 21 сентября (№ 37). — С. 3.
  15. ↑ Принц, Виктор Яковлевич - Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряж ...  (рус.) https://rsl.ru. Российская Государственная Библиотека (27 сентября 2005). Дата обращения: 20 июля 2021. Архивировано 20 июля 2021 года.
  16. ↑ В. Н. Пармон, А. М. Шалагин, Д. М. Маркович. Члену-корреспонденту РАН Виктору Яковлевичу Принцу — 70 лет // Наука в Сибири. — 2020. — 23 апреля (№ 15). — С. 2.
  17. ↑ Принц Виктор Яковлевич (англ.). Корпус экспертов (27 января 2021). Дата обращения: 19 июля 2021. Архивировано 11 ноября 2021 года.
  18. ↑ Viktor Yakovlevich Prinz (англ.). publons. Дата обращения: 19 июля 2021. Архивировано 19 июля 2021 года.
  19. ↑ Княжева Софья. Профессор СО РАН Виктор Принц скончался от COVID-19  (рус.). https://vn.ru/. VN.RU (25 июня 2021). Дата обращения: 18 июля 2021. Архивировано 18 июля 2021 года.
  20. ↑ Сайт «Кладбища Новосибирска»  (неопр.). Дата обращения: 19 августа 2021. Архивировано 15 января 2021 года.
  21. ↑ Драгунов, Неизвестный и Гридчин, 2006, с. 83.
  22. ↑ 1 2 Драгунов, Неизвестный и Гридчин, 2006, с. 84.
  23. ↑ Драгунов, Неизвестный и Гридчин, 2006, с. 84—85.
  24. ↑ Golod et al., 2001.
  25. ↑ Драгунов, Неизвестный и Гридчин, 2006, с. 85—86.
  26. ↑ Пресс-служба ИФП СО РАН. Новосибирские учёные разработали технологию формирования наноприборов для нейроморфных систем и нанофотоники // Наука в Сибири. — 2020. — 17 декабря (№ 49). — С. 2.

ЛитератураПравить

  • Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники: Учебное пособие. — 2-е изд. — Логос, 2006. — С. 494. — ISBN 5-98704-054-X.

СсылкиПравить

Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Принц,_Виктор_Яковлевич&oldid=124521022