Обсуждение:Графеновые наноленты

Писать саму статью я не буду, но материала для размышления немного подкину.

• Чистые ленты: шель возникает не всегда, а только если armchair и только ширина 3N или 3N+2; для 3N+1 или zigzag, щели нет. Величина сщели обратно пропорциональна ширине.
• Первые две работы - 2007, ИБМ и Коламбия. Видят то ли обычный хоппинг, то ли VRH.
• На границе всегда грязь, либо структурная, либо химическая. Из-за нее там много чего возникает.

Дальнейшее развитие темы было бы рекламой собственных работ, потому воздержусь.--Yaroslav Blanter 15:34, 27 мая 2008 (UTC)Ответить[ответить]

Про чистые ленты здесь конечно не написано (вы знаете что это отражено в статье Графеновый полевой транзистор), но их не наблюдали в эксперименте. Про грязь висящие связи на границе и неровности границы тоже только теоретические предсказания. Атомы ещё не видели. Все работы, которые касаются эксперимента я знаю, просто не успел их ещё включить сюда. Kim doi:10.1103/PhysRevLett.98.206805 не наблюдал никакой прыжковой проводимости, и Avouris (doi:10.1016/j.physe.2007.06.020) не сделал никаких выводов (по двум точкам). Не было, насколько знаю подробных измерений температурной зависимости сопротивления в графеновых нанолентах. Если я не прав поправьте меня. Alexander Mayorov 17:17, 27 мая 2008 (UTC)Ответить[ответить]

Ким VRH не наблюдал, а активационная зависимость - хоппинг по ближайшим соседям. Про беспорядок на границе - а какой Вы предлагаете эксперимент, чтобы это увидеть? СТМ с разрешением отдельных атомов, как у Айглера? --Yaroslav Blanter 17:39, 27 мая 2008 (UTC)Ответить[ответить]

Может я чего-то не понимаю, но активационный механизм ($E_g/T$$E_{g}/T$ зависимость), который наблюдали в этих работах (Avouris наблюдал даже сублинейную зависимость при низких температурах скорее всего переходный режим к VRH) и сделали заключение о ширине запрещённой зоны это просто термическое возбуждение носителей в зону проводимости, а это значит никакой прыжковой проводимости нет. Как только электрон попал туда он свободно двигается как в металле. Если бы был транспорт по локализованным состояниям, то сделать вывод о ширине запрещённой зоны нельзя, энергии будут различаться. Никто вроде не заикался о прыжках ещё. По поводу пассивирования оборванных связей [1]. Alexander Mayorov 18:19, 27 мая 2008 (UTC)Ответить[ответить]

Ладно, научная дискуссия тут неуместна, прекращаю. Пишите, что считаете нужным. Страницу, и эту, и графеновый транзистор, я из списка наблюдения убрал. --Yaroslav Blanter 18:39, 27 мая 2008 (UTC)Ответить[ответить]