Егоров, Антон Юрьевич

Антон Юрьевич Егоров
Антон Юрьевич Егоров
Дата рождения	8 мая 1964(1964-05-08) (59 лет)
Место рождения	Ленинград
Страна	СССР→ Россия
Научная сфера	физика полупроводников
Место работы	Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН,; Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН
Альма-матер	ЛЭТИ
Учёная степень	доктор физико-математических наук (2011)
Учёное звание	член-корреспондент РАН (2011)

Антон Юрьевич Егоров (род. 8 мая 1964 года) — российский физик, специалист в области физики и технологии наногетероструктур полупроводниковых твердых растворов, приборов оптоэлектроники и микроэлектроники на их основе, член-корреспондент РАН (2011).

БиографияПравить

Родился 8 мая 1964 года в Ленинграде.

В 1981 году — окончил физико-математический лицей № 239.

В 1986 году — окончил Ленинградский электротехнический институт.

В 2011 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N — новый материал оптоэлектроники»^[2]

Работает в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН.

Заместитель руководителя Центра нанотехнологий Санкт-Петербургского академического университета — научно-образовательного центра нанотехнологий РАН.

В 2011 году — избран членом-корреспондентом РАН.

Научная деятельностьПравить

Работы связаны с экспериментальными исследованиями физических свойств новых полупроводниковых материалов, азотсодержащих твердых растворов GaAsN, InGaAsN, GaPN, GaAsPN, и композитных структур на их основе (гетероструктур), а также происходящих в них физических явлений, разработкой и исследованием технологических процессов получения этих полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, созданием и исследованием оригинальных полупроводниковых приборов, инжекционных лазеров на их основе.

Разработал технологию синтеза азотсодержащих полупроводниковых твердых растворов A3B5-N, позволяющая воспроизводимо получать слои и гетероструктуры нового материала с заданными физическими свойствами высокого структурного совершенства и управлять их химическим составом; разработал физические принципы работы и впервые создал высокоэффективные полосковые и вертикально-излучающие лазеры на базе гетероструктур азотосодержащих полупроводниковых твердых растворов для систем оптической передачи информации; разработал промышленную технологию полупроводниковых гетероструктур для новых изделий микроэлектроники специального и двойного применения, предназначенных для решения широкого круга экономических и оборонных задач РФ.

ПримечанияПравить

↑ ¹ ² Егоров Антон Юрьевич (Объединение учителей Санкт-Петербурга) (неопр.). eduspb.com. Дата обращения: 2017-9-20. Архивировано 30 июня 2017 года.
↑ Диссертация на тему «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники», автореферат (неопр.). dissercat.com. Дата обращения: 2017-9-20. Архивировано 13 июля 2017 года.

СсылкиПравить

Егоров, Антон Юрьевич на официальном сайте РАН
Егоров, Антон Юрьевич на математическом портале Math-Net.Ru
Егоров Антон Юрьевич (Мегаэнциклопедия Кирилла и Мефодия) (неопр.). megabook.ru. Дата обращения: 2017-9-20.
Антон Юрьевич Егоров. Список публикаций (неопр.). research.ifmo.ru. Дата обращения: 2017-9-20.
Алферовский центр стал участником уникальной союзной программы — Российская газета (неопр.). rg.ru. Дата обращения: 2017-9-20.

[eduspb-1] ¹ ² Егоров Антон Юрьевич (Объединение учителей Санкт-Петербурга) (неопр.). eduspb.com. Дата обращения: 2017-9-20. Архивировано 30 июня 2017 года.

[2] Диссертация на тему «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники», автореферат (неопр.). dissercat.com. Дата обращения: 2017-9-20. Архивировано 13 июля 2017 года.

[1]

[2]