Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Домашевская, Эвелина Павловна — Википедия

Домашевская, Эвелина Павловна

Эвелина Павловна Домашевская (род. 12 марта 1935, Харбин,Маньчжоу-го) — Доктор физико-математических наук, профессор, заведующая кафедрой физики твёрдого тела и наноструктур Воронежского государственного университета. Действительный член РАЕН с 1999 года. Член научной секции РАН по проблеме «Рентгеновская и электронная спектроскопии».

Эвелина Павловна Домашевская
Domashevskaya EP.JPG
Дата рождения 12 марта 1935(1935-03-12) (88 лет)
Место рождения
Страна  СССР Россия
Научная сфера Физика, Физика твёрдого тела
Место работы Воронежский государственный университет
Альма-матер ВГУ
Учёная степень Доктор физико-математических наук
Учёное звание профессор, академик РАЕН
Награды и премии
Сайт проф. Э.П. Домашевская

За выдающиеся достижения в области электронного строения полупроводников и тонкоплёночных гетероструктур учёный Домашевская Э.П. награждена президиумом Российской Академии Естественных Наук памятной медалью П. Л. Капицы.

Основные этапы деятельностиПравить

- 1957 г. — защита диплома на физическом факультете ВГУ;

- 1967 г. — защита кандидатской диссертации;

- 1971 г. — присвоение звания доцента;

- 1980 г. — защита докторской диссертации;

- 1983 г. — присвоение учёного звания профессора;

- 1995 г. — становится лауреатом премии Фонда Сороса;

- 1999 г. — Домашевская Э.П. избрана действительным членом Российской Академии Естественных Наук;

- 2000 г. — Домашевской Э.П. вручена памятная медаль П. Л. Капицы;

- 2001 г. — повторно становится лауреатом премии Фонда Сороса;

- 2003 г. — присвоено звание Заслуженный деятель науки Российской Федерации.

Область научных интересов и основные результатыПравить

Исследование электронного строения наноструктур, содержащих квантовые точки и наночастицы. Сверхструктурное упорядочение в эпитаксиальных наноструктурах AlxGa1-хAs/GaAs(100). Исследование синхротронных и ультрамягких рентгеновских спектров наноструктур и нанокомпозитов.

Обнаруженные фундаментальные закономерности взаимодействия d-s,р-электронов положены в основу разработанных Домашевской Э.П. оригинальных методик исследования механизмов межатомного взаимодействия и фазового профиля тонкоплёночных гетероструктур, составляющих технологическую основу твердотельной электроники.

Возглавляет научную школу: "Атомное и электронное строение твёрдых тел и наноструктур".

ПатентыПравить

  • Пьезогравиметрический сенсор концентрации газов № 2378643
  • Способ селективного определения ацетона в воздухе № 2377551
  • Пьезогравиметрический сенсор концентрации толуола № 2376590

Научные публикации (основные)Править

СсылкиПравить