Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Тайминги (оперативная память) — Википедия
Википедия

Тайминги (оперативная память)

(перенаправлено с «Тайминг»)
У этого термина существуют и другие значения, см. Латентность и CAS.

Латентность (в том числе англ. CAS Latency, CL; жарг. тайминг) — временна́я задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти со страничной организацией, в частности, SDRAM. Эти временны́е задержки также называют таймингами и для краткости записывают в виде трех чисел, по порядку: CAS Latency, RAS to CAS Delay и RAS Precharge Time. От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и задержки чтения данных из памяти и, как следствие, быстродействие системы.

Мера таймингов — такт шины[какой?] памяти. Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS Latency.

Иногда формула таймингов для памяти может состоять из четырёх цифр, например 2-2-2-6. Последний параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о рекомендуемых значениях таймингов для наиболее распространенных частот системной шины. На планке памяти информация хранится в чипе SPD  (англ.) (рус. и доступна чипсету. Просмотреть эту информацию можно программным образом, например, программой CPU-Z.

С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти до её покупки. Таймингам памяти поколений DDR и DDR2 придавалось большое значение, поскольку кэш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется меньше внимания, поскольку современные процессоры (например AMD Bulldozer, Trinity и Intel Core i5, i7) имеют сравнительно большие L2-кэши и снабжены огромным L3-кэшем, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа и её данные целиком помещается в кэш процессора (см. Иерархия памяти).

ТаймингиПравить

Имя параметра Обозначение Определение
CAS-латентность CL Задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта.
Row Address to Column Address Delay TRCD Число тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки — TRCD + CL.
Row Precharge Time TRP Число тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка — TRP + TRCD + CL.
Row Active Time TRAS Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Минимальное время между активацией и предварительной зарядкой ряда памяти. Это количество циклов, в течение которых строка памяти может быть доступна для чтения/записи. Обычно примерно равно не ниже TRCD + TRP.
Примечания:
  • RAS : Row Address Strobe — строб адреса строки
  • CAS : Column Address Strobe — строб адреса столбца
  • TWR : Write Recovery Time, время, между последней командой на запись и предзарядом. Обычно TRAS = TRCD + TWR.
  • TRC : Row Cycle Time. TRC = TRAS + TRP.

CAS-латентностьПравить

CAS-латентность (от англ. column address strobe latency, CAS latency, CL, CAS-задержка) — это период ожидания (выраженный в количестве циклов тактовой частоты шины памяти) между запросом процессора на получение содержимого ячейки памяти из открытой строки и временем, когда оперативная память сделает доступной для чтения первую ячейку запрошенного адреса.

Модули памяти SDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 1, 2 или 3 циклам. Модули DDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 2 или 2,5.

На модулях памяти обозначается как CAS или CL. Пометка CAS2, CAS-2, CAS=2, CL2, CL-2 или CL=2 обозначает величину задержки, равную 2.

Примерные данные CAS-латентности памятиПравить

Примерные данные CAS-латентности памяти
Поколение Тип Скорость передачи данных
(мегатранзакций в секунду) 		Время передачи бита Скорость выдачи команд Длительность цикла CL 1-е слово 4-е слово 8-е слово
SDRAM PC100 100 MT/s 10 ns 100 MHz 10 ns 2 20 ns 50 ns 90 ns
PC133 133 MT/s 7.5 ns 133 MHz 7.5 ns 3 22.5 ns 45 ns 75 ns
DDR SDRAM DDR-333 333 MT/s 3 ns 166 MHz 6 ns 2.5 15 ns 24 ns 36 ns
DDR-400 400 MT/s  2.5 ns 200 MHz  5 ns 3 15 ns 22.5 ns 32.5 ns
2.5 12.5 ns 20 ns 30 ns
2 10 ns 17.5 ns 27.5 ns
DDR2 SDRAM DDR2-667 667 MT/s 1.5 ns 333 MHz  3 ns 5 15 ns 19.5 ns 25.5 ns
4 12 ns 16.5 ns 22.5 ns
DDR2-800 800 MT/s  1.25 ns 400 MHz  2.5 ns 6 15 ns 18.75 ns 23.75 ns
5 12.5 ns 16.25 ns 21.25 ns
4.5 11.25 ns 15 ns 20 ns
4 10 ns 13.75 ns 18.75 ns
DDR2-1066 1066 MT/s  0.95 ns 533 MHz  1.9 ns 7 13.13 ns 15.94 ns 19.69 ns
6 11.25 ns 14.06 ns 17.81 ns
5 9.38 ns 12.19 ns 15.94 ns
4.5 8.44 ns 11.25 ns 15 ns
4 7.5 ns 10.31 ns 14.06 ns
DDR3 SDRAM DDR3-1066 1066 MT/s  0.9375 ns 533 MHz  1.875 ns 7 13.13 ns 15.95 ns 19.7 ns
DDR3-1333 1333 MT/s  0.75 ns 666 MHz  1.5 ns 9 13.5 ns 15.75 ns 18.75 ns
6 9 ns 11.25 ns 14.25 ns
DDR3-1375 1375 MT/s 0.73 ns 687 MHz 1.5 ns 5 7.27 ns 9.45 ns 12.36 ns
DDR3-1600 1600 MT/s  0.625 ns 800 MHz  1.25 ns 9 11.25 ns 13.125 ns 15.625 ns
8 10 ns 11.875 ns 14.375 ns
7 8.75 ns 10.625 ns 13.125 ns
6 7.50 ns 9.375 ns 11.875 ns
DDR3-2000 2000 MT/s  0.5 ns 1000 MHz  1 ns 10 10 ns 11.5 ns 13.5 ns
9 9 ns 10.5 ns 12.5 ns
8 8 ns 9.5 ns 11.5 ns
7 7 ns 8.5 ns 10.5 ns

ЛитератураПравить

СсылкиПравить

Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Тайминги_(оперативная_память)&oldid=128831854