Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Странский, Иван Николов — Википедия
Википедия

Странский, Иван Николов

Эта статья о физикохимике; о почвоведе см. Странски, Иван Тодоров.

Иван Николов Странский (болг. Иван Николов Странски; 2 января 1897 — 19 июня 1979) — болгарский физикохимик, основоположник болгарской школы физикохимии, который считается «отцом» выращивания кристаллов.

Иван Николов Странский
болг. Иван Николов Странски
Iwan Stranski.jpg
Дата рождения 2 января 1897(1897-01-02)
Место рождения София, Болгария
Дата смерти 19 июня 1979(1979-06-19) (82 года)
Место смерти София, Болгария
Страна  Болгария
Научная сфера физическая химия
Место работы Берлинский технический университет
Альма-матер Софийский университет
Учёная степень доктор философии (PhD) по химии
Известен как основоположник Болгарской школы физической химии  (болг.) (рус. и выращивания кристаллов
Награды и премии Order of SS. Cyril and Methodius ribbon.gif
Логотип Викисклада Медиафайлы на Викискладе

БиографияПравить

Родился в Софии в семье Николы Странского, придворного аптекаря, и Марии Странской-Корн, прибалтийской немки. Из калоферского рода Странских: дед — революционер и политик Георгий Странский; двоюродный брат — почвовед Иван Тодоров Странский. С детства страдал от костного туберкулёза, который в то время был неизлечимым заболеванием.

Окончил 1-ю мужскую софийскую гимназию. Изначально хотел изучать медицину, чтобы найти лекарство от своей болезни, однако, проучившись один год в Вене, разочаровался в своём выборе. В 1922 году окончил факультет химии Софийского университета, в Берлине под руководством Пауля Гюнтера защитил докторскую диссертацию на тему рентгеновской спектроскопии. В 1925 году избран доцентом кафедры физической химии  (болг.) (рус. физико-математического факультета  (болг.) (рус. Софийского университета и стал первым преподавателем физической химии в Болгарии. В 1929 году стал ассоциирующим профессором, в 1937 году — почётным профессором. Читал лекции по физической химии, привлекал к работе таких людей, как Ростислав Каишев и Любомир Крыстанов, с которыми осуществлял крупные исследования.

В 1930 году благодаря стипендии фонда Рокфеллера Странский устроился на работу в Берлинский технический университет, трудясь совместно с Максом Фольмером и Каишевым. В 1935—1936 годах Каишев опубликовал фундаментальные труды по теории средних отделительных работ, а Странский с Крыстановым предположил принцип выращивания кристаллов на основании другого кристалла. В его работах был выведен механизм роста Странского — Крыстанова. В 1935—1936 годах возглавлял кафедру Уральского института физики и механики в Свердловске.

По предложению Вальтера Косселя переехал в Бреслау. Во время войны занимался прикладными разработками (например, предотвращение обледенения немецких самолётов). Вернулся в Берлин в конце войны, где работал в институте физической и электрической химии имени Кайзера Вильгельма. После ареста Фольмера и его вывоза в СССР Странский возглавил кафедру физической химии Берлинского технического университета в Западном Берлине, возобновив занятия в 1945 году. Декан факультета общих и инженерных наук в 1948—1949 годах, заместитель ректора. В 1953 году возглавил институт Фрица Габера, директорами которого в прошлом были Макс фон Лауэ и Альберт Эйнштейн.

В 1944 году после прихода к власти Отечественного фронта Странского уволили с кафедры в Софийском университете, обвинив в сотрудничестве с гитлеровцами. Однако стараниями его учеников в 1960-е годы Странский был избран иностранным членом Болгарской академии наук, а в 1967 году впервые после войны приехал на Родину. Скончался в 1979 году, похоронен в Берлине.

Член Гёттингенской академии наук (1939), Баварской академии наук (1959), Нью-Йоркской академии наук и Шведской академии наук. Почётный сенатор Берлинского технического университета Западного Берлина (1962). Имя Странского присвоено Институту физике и химии Берлинского технического университета и Институту металлургии в Оберхаузене. Дважды кавалер ордена Кирилла и Мефодия, лауреат множества международных наград и премий.

Научные работыПравить

Вместе с Косселем Странский основал молекулярно-кинетическую теорию формирования и роста кристаллов, первым ввёл понятие «положение полукристалла». Вместе с Ростиславом Каиешвым установил связь между форматом, структурой и силой межмолекулярного взаимодействия в кристаллах на базе молекулярной трактовки. Разработал метод средних отделительных работ — молекулярно-кинетический метод, который сыграл роль в развитии теории зарождения и роста кристаллов. Автод модели Каишева — Странского послойного роста кристаллов, объяснил связь между двумерным зародышеобразованием и спиральным ростом кристаллов. С Любомиром Крыстановым вывел механизм роста кристалла одного на другом. В Берлине работа в разных областях физической химии, преимущественно теоретических разработках с практическим приложением: триболюминисценция, плавление, разложение уротропина, электронная эмиссия кристальных поверхностей (предпосылка к созданию автоэмиссионного микроскопа — FEM). Серьёзное приложение получили работы в области металлургии, которые повысили эффективности добычи руды в Западной Германии[1][1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12].

БиблиографияПравить

  • I. N. Stranski, Zur Theorie des Kristallwachstums, Z. physik, Chem., 136, 259 (1928)
  • I. N. Stranski, D. Totomanow, Die Ostwald'sche Stufenregel, Naturwissenschaften, 20, 905 (1932)
  • I. N. Stranski, L. Krastanov, Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander, Sitzungsber. d. Akad. d. Wissensch. Wien, Math.-naturw. Kl. Abt. IIb, 146, 797 (1938)

ПримечанияПравить

  1. ↑ 1 2 Surface structures of ionic crystals  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 7 декабря 2018 года.
  2. ↑ Beiträge zur Röntgenspektralanalyse  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
  3. ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen: Vortrag, gehalten an der Chalmers Tekniska Högskola, Göteborg, am 16.6.1950  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
  4. ↑ Gedenkkolloquium anläßlich des ersten Todestages von Prof. Dr. phil., Dr. h. c. mult. Iwan N. Stranski: Berlin, 18. Juni 1980.  (неопр.) Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
  5. ↑ On structure irregularity in the surface of ionic crystals  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
  6. ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. II: Single-crystal surfaces with absorbed foreign atoms  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
  7. ↑ Rastitelni otnošenija v Srědnitě Rodopi  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
  8. ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. I: pure single-crystal surfaces  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
  9. ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
  10. ↑ Technische Universität Berlin-Charlottenburg  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
  11. ↑ "Katalyse": Festrede, anlässlich der, Rektoratsübergabe an der Technischen Universität Berlin-Charlottenburg 1951  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.
  12. ↑ Single-crystal surfaces with adsorbed foreign atoms  (неопр.). Дата обращения: 28 марта 2019. Архивировано 28 марта 2019 года.

СсылкиПравить

Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Странский,_Иван_Николов&oldid=128542906