Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Сканирующий гелиевый ионный микроскоп — Википедия
Википедия

Сканирующий гелиевый ионный микроскоп

Сканирующий гелиевый ионный микроскоп (СГИМ, гелий-ионный микроскоп, ионный гелиевый микроскоп, гелиевый микроскоп, HeIM) — сканирующий (растровый) микроскоп, по принципу работы аналогичный сканирующему электронному микроскопу, но использующий вместо электронов пучок ионов гелия.

Внешний вид Сканирующего Гелий-Ионного Микроскопа (СГИМ)

ВведениеПравить

В настоящее время (начало 2016 года) Сканирующая электронная микроскопия, фактически исчерпала возможности своего дальнейшего развития, поскольку, на протяжении 50-летнего процесса непрерывного совершенствования методов и техники, вплотную подошла к фундаментальному ограничению предельного разрешения, которое заключается в невозможности дальнейшего уменьшения диаметра сфокусированного пятна электронного пучка за счёт эффекта дифракции [1].

Согласно теории оптических систем, разработанной Эрнстом Аббе, минимальный диаметр пучка электромагнитной волны определяется выражением:

d m i n = λ / 2 n   (1)

 
Сравнение изображений зубной эмали мыши, полученные с помощью СЭМ (a,b) и СГИМ (c,d). Изображения, полученные с помощью СГИМ имеют превосходную глубину резкости, и отображают внутреннюю структуру полостей эмали, которые отображаются в виде чёрных пятен в СЭМ-изображениях.

, где λ — длина электромагнитной волны в вакууме, n — показатель преломления среды. 

При этом, длина волны Де Бройля для заряженной частицы определяется следующим образом:

λ = h m q ⋅ V   (2) ,

где  h – постоянная Планка, mq – масса заряженной частицы, V – скорость заряженной частицы.,

Как известно, при движении заряженной частицы в однородном электрическом поле, его энергия, определяемая как W=q·U (где q – величина заряда частицы, а U – ускоряющее напряжение электрического поля) преобразуется в её кинетическую энергию Wк=mqV2/2.

В результате, длина волны заряженной частицы, движущейся в однородном электрическом поле, будет определяться как

λ = h 2 ⋅ q ⋅ m q ⋅ U   (3)

Из выражения (3) следует, что длина волны электрона для ускоряющего напряжения 30 кВ составляет порядка 0,01 нм, а минимальный диаметр его пучка в вакууме, ограниченный дифракцией, составит 0,05 нм.  Данное ограничение[2] было предложено преодолеть путём замены электрона на ион гелия[3], которые примерно в 7300 раз тяжелее электронов, и таким образом, для всех значений ускоряющих напряжений, как следует из (3), имеют гораздо меньшую длину волны, и, следовательно, меньший диаметр фокусировки.  

Согласно теории Гауссовых пучков, угол сходимости Гауссового пучка Ə выражается как  

Θ = λ π ⋅ ω 0   (4),

где w0 - минимальная полуширина Гауссового пучка, λ - длина волны излучения. Таким образом, обратно пропорциональная углу сходимости ГРИП будет тем больше чем меньше длина волны. Сравнивая СЭМ и СГИМ, ГРИП последнего будет больше на два порядка.

Таким образом, с помощью СГИМ можно получать данные, которые невозможно получить с помощью микроскопов, которые используют фотоны или электроны в качестве источника излучения.  

При этом, как и в других системах сфокусированных ионных пучков, СГИМ  позволяет сочетать модификацию образцов с их локальным анализом с суб-нанометровым разрешением[4].  

При взаимодействии Гелий-ионного пучка с образцом, происходит возбуждение гораздо меньшего объёма образца, и, следовательно, обеспечение резких изображений с большой глубиной резкости изображаемого пространства для широкого диапазона материалов.  

По сравнению с СЭМ, процент выхода вторичных электронов достаточно высок, что позволяет СГИМ работать со сверхнизкими токами пучка (до 1 фемтоампера).

Основные преимущества СГИМ по сравнению с СЭМ[5]Править

  • Высокое пространственное разрешение до 0,25 нм (Благодаря свойствам ионов Гелия и малой области взаимодействия ионов с образцов)
  • Малое влияние дифракционных эффектов на качество изображения благодаря большой массе ионов по сравнению с электронами.  
  • Более высокая чувствительность к рельефу поверхности образца (благодаря локализации генерации вторичных электронов в приповерхностных (3-5 нм) слоях образца)
  • Более качественные изображения во вторичных ионах при сравнимых воздействиях пучком заряженных частиц на образец (среднее количество сгенерированных ионом вторичных электронов выше, чем сгенерированных электроном)
  • Глубина резкости изображения в СГИМ в 5-10 раз больше чем СЭМ.
  • Исследование диэлектрических материалов гораздо проще благодаря более низким токам пучка и отсутствию сложных систем компенсации заряда.

Источник ионовПравить

В отличие от большинства приборов со сфокусированным ионным пучком, использующих жидкометаллические источники ионов, в СГИМ используется газовый автоионный источник.[3][6]

К источнику ионов Гелия СГИМ предъявляется ряд требований:

  • Источник ионов СГИМ должен обладать достаточной яркостью для обеспечения оптимального отношения сигнал/шум детектора
  • Источник ионов должен быть компактным с тем, чтобы была возможность размещать его внутри колонны СГИМ и минимизировать вибрации.
  • Источник ионов СГИМ должен быть стабильным, чтобы обеспечивать минимальную флуктуацию потока ионов в течение нескольких часов работы.
  • Источник ионов СГИМ должен работать в широком диапазоне энергий, не менее 10 эВ - 30 кэВ

В качестве источника используется остриё из вольфрама, к которому приложено высокое напряжение. Выбор вольфрама в качестве материала эмиттера обусловлен тем, что он обладает необходимыми механическими свойствами, которые позволяют исключить его деформацию под  действием сильных электростатических полей и низкокотемпературных режимов работы. В результате специального термополевого цикла на заточенном конце вольфрамовой проволоки формируется трёхгранная пирамида, на вершине которой располагаются одиночный атом вольфрама. Газообразный гелий ионизуется в сильном электрическом поле вблизи острия, принципы автоионизации описаны в работах Мюллера[7]. Режим автоионного микроскопа позволяет наблюдать источник с атомарным разрешением, что используется для формирования и юстировки источника. Для стабилизации источника и повышения эффективности автоионизации остриё охлаждается жидким азотом.

Величина генерируемого ионного тока изменяется квазилинейно с ростом давления гелия в диапазоне давлений до 100:1, с максимальным значением тока эмиссии до 100 pA. Температурный режим подбирается исходя из оптимальных параметров генерируемого ионного тока. Так, если температура будет слишком низкая, то скорость поглощения ионов гелия будет слишком медленной. С другой стороны, при слишком высоких значениях температуры, поляризованные атомы Гелия будут обладать слишком большой кинетической энергией, и не удерживаться на наконечнике источника достаточное время, с тем чтобы быть эффективно ионизированными. Стабильность тока пучка ионов в СГИМ обеспечивается обычно на уровне 2-3%/час. 

Оптическая системаПравить

Для фокусировки и отклонения ионного пучка используется электростатическая оптическая схема, аналогичная системам со сфокусированным ионным пучком.

Зависимость ионного тока от приложенного напряжения нелинейно, по мере увеличения напряжения, ток эмиссии возрастает, достигает своего максимального значения, после чего начинает убывать. При дальнейшем повышении напряжения, его энергии начинает хватать для отрыва атомов катода, тем самым затупляя его конец и ухудшая его характеристики. Напряжение, при котором ток эмиссии достигает своего максимального значения называется «напряжением наилучшего изображения, ННИ» (BIV, Best Image Voltage), и для ионов гелия, это происходит при величине электрического поля в области острия катода около 4,5 В/Å. На данное значение влияет форма острия катода, (чем острее конец катода, тем меньшее напряжение нужно приложить для достижения ННИ).

На рисунке показаны основные оптические компоненты СГИМ (на примере модели Carl Zeiss ORION). Все линзы, сканеры и дефлекторы являются электростатическими, потому что траектория движения заряженных частиц, и в частности, ионов очень слабо зависит от магнитных полей. Ионы, образующиеся с помощью источника, достигают требуемой энергии ускорения и проходят через диафрагму, которая формирует пучок ионов, отсекая внеосевые ионы. Далее пучок ионов проходит через группу электростатических линз, которые выполняют его коллимацию и подстройку. Регулируемая апертурная диафрагма позволяет подбирать оптимальное соотношение разрешения и глубины резкости изображения с одной стороны и тока пучка с другой (путём изменения диаметра поперечного сечения пучка ионов). Далее пучок ионов проходит через систему отклоняющих катушек, которая реализует алгоритм сканирования пучка (отклоняет его в заданном направлении в зависимости от приложенного управляющего напряжения). Затем пучок ионов фокусируется на образце с помощью электромагнитного объектива (Final lens). 

Взаимодействие ионов с веществомПравить

Ионы, как и электроны в СЭМ, могут проникать во внутренний объём твердых и жидких образцов. Поскольку отслеживать траектории движения каждого иона в отдельности невозможно, описание их взаимодействия с веществом носит статистический характер (рассматриваются усреднённые параметры). Для описания средней максимальной глубины проникновения ионов в образец используют приближение Kanaya и Okayama [8], которое учитывает плотность образца и энергию пучка ионов.

В результате взаимодействия ускоренных ионов с веществом кинетическая энергия налетающих ионов передаётся электронам и атомам материала. При этом некоторые из электронов вещества вылетают в вакуум (вторичные электроны).Часть ионов гелия отражается от атомов вещества назад (Обратнорасеяные ионы). Кроме того, некоторые из атомов вещества могут быть выбиты налетающими ионами, что приводит к распылению материала.

Импульс налетающих ионов слишком мал для эффективного возбуждения глубоких уровней атомов, поэтому возбуждения рентгеновского излучения в СГИМ не наблюдается.

Генерация в СГИМ вторичных электронов аналогична данному процессу в СЭМ, однако сигнал вторичных электронов при их возбуждении ионами в СГИМ при тех же условиях и для того же образца, почти всегда будет мощнее, чем при возбуждении электронами в СЭМ, поскольку тормозная способность материала для ионов значительно выше, чем для электронов. В результате, генерация вторичных электронов в СГИМ происходит в приповерхностных слоях образца, и имеют большую вероятность выхода из образца, в отличие от СЭМ, где генерация вторичных ионов распределена в объёме образца. Для математического описания процесса генерации вторичных электронов используется численный метод Монте-Карло[9][10].

Образование обратнорассеянных ионов после их соударения с образцом происходит в некотором телесном угле. Размер и форма области локализации обратнорассеяных ионов важна, поскольку они влияют на качество регистрируемого сигнала как обратнорассеянных ионов, так и вторичных электронов. Увеличенный телесный угол рассеяния ионов на атомах исследуемого материала (по сравнению с электронами), позволяет повысить контраст по атомному номеру, как в режиме регистрации вторичных электронов, так и при регистрации обратно-рассеянных ионов. Если область локализации вторичных ионов мала по объёму, то их высокая концентрация способствует высокому пространственному разрешению во вторичных ионах. С другой стороны, высокая концентрация вторичных ионов в области падения ионного пучка на образец, будет ухудшать контраст и разрешение сигнала во вторичных электронах вследствие их рекомбинации с ионами. Детектирование обратнорассеянных ионов позволяет также исследовать свойства кристаллической решетки образца.  

Оптимальный режим работы подбирается исходя из характеристик исследуемого образца путём подбора типа ионов (для этого в СГИМ Carl Zeiss Orion помимо ионов гелия используются ионы неона и галлия), ускоряющего напряжение, фокусировки и режима сканирования. 

Для тонких образцов СГИМ позволяет работать в режиме просвечивающего сканирования, подобно просвечивающему растровому электронному микроскопу[11][12][12][13]. Для этих целей в схему СГИМ вводится специальный адаптер[14]

ДетекторыПравить

СГИМ оборудован двумя детекторами:

Компенсация зарядаПравить

Для компенсации положительного электрического заряда, накапливающегося на поверхности диэлектрических материалов, используется расфокусированный электронный пучок.

ПрименениеПравить

Основными областями применения СГИМ являются:

1. Микроскопия образцаПравить

1.1. Микроскопия диэлектрических материалов и биологических образцов Править

Благодаря использованию расфокусированного пучка электронов для компенсации заряда образца, СГИМ позволяет получить изображения диэлектрических материалов, и, в частности непокрытых биологических образцов с высоким разрешением. Так, с помощью  СГИМ в крыльях бабочек из семейства Papilio ulysses были выявлены новые наноразмерные структуры, которые было невозможно визуализировать с помощью СЭМ[17]. Также СГИМ успешно применяется для визуализации внутриклеточных структур.[18][19][20] В частности, с его помощью проводятся исследования структуры пор в эпителиальных клетках аденокарциномы человека Caco2.[21] Благодаря высокому пространственному разрешению, СГИМ позволил изучить белковые структуры бычьей печени [22](в ходе исследований было установлено, что она имеет структурированную пространственную ориентацию с  шагом сетки 8,8 нм × 6,7 нм) и почек крысы[23]. Также применение СГИМ позволяет анализировать трёхмерное распределение минеральных и органических фаз (протеина, амелогенина, эмали) в зубе мыши.[24] Кроме того, СГИМ успешно применется для исследований биополимеров.[25]

1.2. Получение изображений подповерхностных слоевПравить

Анализ обратнорассеянных ионов гелия в СГИМ позволил разработать бесконтактный метод оценки электронных межсоединений[26].

1.3. ИонолюминесценцияПравить

(люминесценция, возбуждаемая бомбардировкой образца ионами)

С помощью ионолюминесценции СГИМ проводится ряд исследований свойств запрещённой зоны полупроводниковых материалов[27], тонких плёнок GaN на сапфире,[28] легированных церием квантовых точек в гранате и легированные LaPO4 нанокристаллов.[29]

1.4.Визуализация структур графенаПравить

СГИМ широко используется для исследования свойства графена в различных формах (как находящегося в свободно подвешенном состоянии, так и расположенного на подложке из диоксида кремния)[30][31][32], а также проницаемость его пор для различных атомов[33][34], свойства ширины его запрещённой зоны[35] и особенности процессов его формирования для устройств наноэлектроники[36][37]

2. Модификация образцаПравить

Модификация образца в СГИМ проводится путём напыления и травления материалов, аналогично методу сфокусированного ионного пучка в СЭМ. Однако данные методы используют различные ионы для модификации образца. Так, в СГИМ в качестве ионов для бомбардировки образца используются ионы гелия, неона и галлия, а в СЭМ – галлия, золота и иридия).

 
Внешний вид Сканирующего Гелий Ионного Микроскопа Carl Zeiss ORION
2.1. Ионно-лучевая литографияПравить

Традиционно, рельеф фоторезистов формируется методами сфокусированного ионного пучка и электронно-лучевой литографии. Преимущества ионно-лучевой литографии в сравнении с электронно-лучевой заключаются в том, что фоторезисты более чувствительны к пучкам ионов, чем электронов и отсутствует «эффект близости» («proximity effect»), который ограничивает минимально возможный размер модифицируемой области при электронно-лучевой литографии.[38][39] А преимущество СГИМ по сравнению с технологией сфокусированного ионного пучка заключается в возможности сфокусировать пучок в меньшую область и в возможности работы с более легкими ионами. Так, применение СГИМ в качестве ионно-лучевого литографа позволяет достичь новых технологических норм (менее 10 нм).[40][41][42][43]  

2.2 Формирование наноразмерных структурПравить

Высокое разрешение СГИМ и возможность выбора используемых ионов позволяет формировать широкий круг наноразмерных структур с его помощью.[44][45] В частности, СГИМ применяется для формирования наноразмерных платиновых структур посредством разложения и осаждения органоплатиновых газообразных соединений ионным пучком,[44][46] трёхмерных структур на кремниевой подложке[47], осаждения металлов из газообразной фазы.[48] Помимо ионов Гелия, для формирования наноразмерных структур в СГИМ используются ионы неона и галлия, а также их комбинации.[49][50] Также СГИМ широко применяется для формирование перспективных наноплазмонных кристаллов[51][52][53][54][55] и микро- и наноэлектромеханических систем.[56]

СправкаПравить

Сканирующий гелиевый ионный микроскоп был разработан компанией A.L.I.S., в настоящий момент являющейся частью компании Carl Zeiss. Первый коммерчески доступный СГИМ появился в 2007 г. Фабрика по производству СГИМ расположена в г. Пибоди (США).

К настоящему моменту в мире установлено более 20 приборов, в основном в научно-исследовательских центрах (Национальный Институт Стандартов и Технологий США, Гарвардский Университет, Университет Твенте, Национальный университет Сингапура, Университет Билефельда). В России единственный СГИМ установлен в Междисциплинарном ресурсном центре по направлению «Нанотехнологии»[57] Санкт-Петербургского государственного университета.

См. такжеПравить

ПримечанияПравить

  1. ↑ David C. Joy. Helium Ion Microscopy - Springer. Архивная копия от 6 июня 2018 на Wayback Machine
  2. ↑ A. V. Crewe, J. Wall, L. M. Welter. A High‐Resolution Scanning Transmission Electron Microscope // Journal of Applied Physics. — 1968-12-01. — Т. 39, вып. 13. — С. 5861–5868. — ISSN 1089-7550 0021-8979, 1089-7550. — doi:10.1063/1.1656079. Архивировано 3 марта 2016 года.
  3. ↑ 1 2 Erwin W. Müller, John A. Panitz, S. Brooks McLane. The Atom‐Probe Field Ion Microscope // Review of Scientific Instruments. — 1968-01-01. — Т. 39, вып. 1. — С. 83–86. — ISSN 1089-7623 0034-6748, 1089-7623. — doi:10.1063/1.1683116. Архивировано 25 февраля 2016 года.
  4. ↑ Iberi, Vighter; Vlassiouk, Ivan; Zhang, X.-G.; Matola, Brad; Linn, Allison; Joy, David C.; Rondinone, Adam J. (2015). Scientific Reports 5: 11952. doi:10.1038/srep11952. PMC 4493665. PMID 26150202. Maskless Lithography and in situ Visualization of Conductivity of Graphene using Helium Ion Microscopy (англ.) // Europe PMC Scientific Reports 5: 11952. doi:10.1038/srep11952. PMC 4493665. PMID 26150202. : Report. — 2015. — Июль. — doi:10.1038/srep11952.
  5. ↑ C. Rodenburg, M. A. E. Jepson, Stuart A. Boden, Darren M. Bagnall. Helium ion microscopy and energy selective scanning electron microscopy – two advanced microscopy techniques with complementary applications (англ.) // Journal of Physics: Conference Series. — 2014-01-01. — Vol. 522, iss. 1. — P. 012049. — ISSN 1742-6596. — doi:10.1088/1742-6596/522/1/012049.
  6. ↑ J. Orloff, L. W. Swanson. An asymmetric electrostatic lens for field‐emission microprobe applications // Journal of Applied Physics. — 1979-04-01. — Т. 50, вып. 4. — С. 2494–2501. — ISSN 1089-7550 0021-8979, 1089-7550. — doi:10.1063/1.326260. Архивировано 29 февраля 2016 года.
  7. ↑ E. W. Muller, T. T. Tsong, Field Ion Microcopy Principles and Applications, Elsevier New York (1969)
  8. ↑ K. Kanaya, S. Okayama. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets (англ.) // Journal of Physics D: Applied Physics. — 1972-01-01. — Vol. 5, iss. 1. — P. 43. — ISSN 0022-3727. — doi:10.1088/0022-3727/5/1/308.
  9. ↑ Z. J. Ding, X. D. Tang, R. Shimizu. Monte Carlo study of secondary electron emission // Journal of Applied Physics. — 2001-01-01. — Т. 89, вып. 1. — С. 718–726. — ISSN 1089-7550 0021-8979, 1089-7550. — doi:10.1063/1.1331645. Архивировано 25 февраля 2016 года.
  10. ↑ R. Shimizu, Ding Ze-Jun. Monte Carlo modelling of electron-solid interactions (англ.) // Reports on Progress in Physics. — 1992-01-01. — Vol. 55, iss. 4. — P. 487. — ISSN 0034-4885. — doi:10.1088/0034-4885/55/4/002.
  11. ↑ Billy W. Ward. Scanning transmission ion microscope  (неопр.) (22 января 2008). Дата обращения: 18 февраля 2016. Архивировано 2 апреля 2016 года.
  12. ↑ 1 2 Dc Joy, J Notte IV, R Hill, Sm McVey, R Ramachandra. Scanning Transmission Ion Microscopy and Diffraction Imaging // Microscopy and Microanalysis. — 2010-07-01. — Т. 16, вып. Supplement S2. — С. 604–605. — ISSN 1435-8115. — doi:10.1017/S1431927610053791.
  13. ↑ Europe PMC. Scanning transmission ion microscopy as it complements particle induced x-ray emission... - Abstract - Europe PMC  (неопр.). europepmc.org. Дата обращения: 18 февраля 2016.
  14. ↑ David C. Joy. Ion–Solid Interactions and Image Formation (англ.) // Helium Ion Microscopy. — Springer New York, 2013-01-01. — P. 17–37. — ISBN 9781461486596, 9781461486602. — doi:10.1007/978-1-4614-8660-2_4. Архивировано 16 июня 2018 года.
  15. ↑ Yu V. Petrov, O. F. Vyvenko, A. S. Bondarenko. Scanning helium ion microscope: Distribution of secondary electrons and ion channeling (англ.) // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2010-10-12. — Vol. 4, iss. 5. — P. 792–795. — ISSN 1819-7094 1027-4510, 1819-7094. — doi:10.1134/S1027451010050186. Архивировано 5 июня 2018 года.
  16. ↑ Sybren Sijbrandij, John Notte, Larry Scipioni, Chuong Huynh, Colin Sanford. Analysis and metrology with a focused helium ion beama) // Journal of Vacuum Science & Technology B. — 2010-01-01. — Т. 28, вып. 1. — С. 73–77. — ISSN 2166-2754 2166-2746, 2166-2754. — doi:10.1116/1.3271254. Архивировано 25 февраля 2016 года.
  17. ↑ Stuart A. Boden, Asa Asadollahbaik, Harvey N. Rutt, Darren M. Bagnall. Helium ion microscopy of Lepidoptera scales (англ.) // Scanning. — 2012-03-01. — Vol. 34, iss. 2. — P. 107–120. — ISSN 1932-8745. — doi:10.1002/sca.20267. Архивировано 14 апреля 2016 года.
  18. ↑ NMI :: Helium Ion Microscopy (HIM) for the imaging of biological samples at sub-nanometer resolution  (неопр.). www.nmi.de. Дата обращения: 18 февраля 2016. Архивировано 8 марта 2016 года.
  19. ↑ Matthew S. Joens, Chuong Huynh, James M. Kasuboski, David Ferranti, Yury J. Sigal. Helium Ion Microscopy (HIM) for the imaging of biological samples at sub-nanometer resolution (англ.) // Scientific Reports. — 2013-12-17. — Vol. 3. — doi:10.1038/srep03514. Архивировано 17 февраля 2016 года.
  20. ↑ Helium Ion Microscopy of Microstructures and Biological Samples  (неопр.). ResearchGate. Дата обращения: 18 февраля 2016. Архивировано 25 февраля 2016 года.
  21. ↑ D. Bazou, G. Behan, C. Reid, J.j. Boland, H.z. Zhang. Imaging of human colon cancer cells using He-Ion scanning microscopy (англ.) // Journal of Microscopy. — 2011-06-01. — Vol. 242, iss. 3. — P. 290–294. — ISSN 1365-2818. — doi:10.1111/j.1365-2818.2010.03467.x. Архивировано 28 декабря 2014 года.
  22. ↑ A. Lysse, Carl Zeiss Microscopy. .
  23. ↑ William L. Rice, Alfred N. Van Hoek, Teodor G. Păunescu, Chuong Huynh, Bernhard Goetze. High Resolution Helium Ion Scanning Microscopy of the Rat Kidney // PLoS ONE. — 2013-03-07. — Т. 8, вып. 3. — С. e57051. — doi:10.1371/journal.pone.0057051.
  24. ↑ Felicitas B. Bidlack, Chuong Huynh, Jeffrey Marshman, Bernhard Goetze. Helium ion microscopy of enamel crystallites and extracellular tooth enamel matrix // Frontiers in Physiology. — 2014-10-10. — Т. 5. — ISSN 1664-042X. — doi:10.3389/fphys.2014.00395.
  25. ↑ Gerra L. Bosco. Imaging in the modern age  (неопр.) (30 августа 2011). doi:10.1016/j.trac.2011.07.009. Дата обращения: 18 февраля 2016. Архивировано 23 февраля 2016 года.
  26. ↑ Raoul van Gastel, Gregor Hlawacek, Harold J. W. Zandvliet, Bene Poelsema. Subsurface analysis of semiconductor structures with helium ion microscopy // Microelectronics Reliability. — 2012-09-01. — Т. 52, вып. 9–10. — С. 2104–2109. — doi:10.1016/j.microrel.2012.06.130.
  27. ↑ Vasilisa Veligura, Gregor Hlawacek, Uwe Jahn, Raoul van Gastel, Harold J. W. Zandvliet. Creation and physical aspects of luminescent patterns using helium ion microscopy // Journal of Applied Physics. — 2014-05-14. — Т. 115, вып. 18. — С. 183502. — ISSN 1089-7550 0021-8979, 1089-7550. — doi:10.1063/1.4875480. Архивировано 25 февраля 2016 года.
  28. ↑ http://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.37.L398/pdf. — doi:10.1143/jjap.37.l398/pdf.
  29. ↑ Stuart A. Boden, Thomas M.W. Franklin, Larry Scipioni, Darren M. Bagnall, Harvey N. Rutt. Ionoluminescence in the Helium Ion Microscope // Microscopy and Microanalysis. — 2012-12-01. — Т. 18, вып. 06. — С. 1253–1262. — ISSN 1435-8115. — doi:10.1017/S1431927612013463.
  30. ↑ Conduction tuning of graphene based on defect-induced localization.  (неопр.) www.pubfacts.com. Дата обращения: 19 февраля 2016.
  31. ↑ J. Grisolia, N. Decorde, M. Gauvin, N. M. Sangeetha, B. Viallet. Electron transport within transparent assemblies of tin-doped indium oxide colloidal nanocrystals (англ.) // Nanotechnology. — 2015-01-01. — Vol. 26, iss. 33. — P. 335702. — ISSN 0957-4484. — doi:10.1088/0957-4484/26/33/335702.
  32. ↑ Vighter Iberi, Ivan Vlassiouk, X.-G. Zhang, Brad Matola, Allison Linn. Maskless Lithography and in situ Visualization of Conductivity of Graphene using Helium Ion Microscopy (англ.) // Scientific Reports. — 2015-07-07. — Vol. 5. — doi:10.1038/srep11952. Архивировано 29 февраля 2016 года.
  33. ↑ J. Scott Bunch, Scott S. Verbridge, Jonathan S. Alden, Arend M. van der Zande, Jeevak M. Parpia. Impermeable Atomic Membranes from Graphene Sheets (EN) // Nano Letters. — 2008-07-17. — Т. 8, вып. 8. — С. 2458–2462. — doi:10.1021/nl801457b. Архивировано 9 июля 2014 года.
  34. ↑ Hong Zhang, Yoshiyuki Miyamoto, Angel Rubio. \textit{Ab initio} Simulation of Helium-Ion Microscopy Images: The Case of Suspended Graphene // Physical Review Letters. — 2012-12-27. — Т. 109, вып. 26. — С. 265505. — doi:10.1103/PhysRevLett.109.265505.
  35. ↑ Ahmad N. Abbas, Gang Liu, Bilu Liu, Luyao Zhang, He Liu. Patterning, Characterization, and Chemical Sensing Applications of Graphene Nanoribbon Arrays Down to 5 nm Using Helium Ion Beam Lithography (EN) // ACS Nano. — 2014-01-27. — Т. 8, вып. 2. — С. 1538–1546. — doi:10.1021/nn405759v. Архивировано 18 мая 2017 года.
  36. ↑ Max C. Lemme, David C. Bell, James R. Williams, Lewis A. Stern, Britton W. H. Baugher. Etching of Graphene Devices with a Helium Ion Beam (EN) // ACS Nano. — 2009-09-22. — Т. 3, вып. 9. — С. 2674–2676. — doi:10.1021/nn900744z.
  37. ↑ S. A. Boden, Z. Moktadir, D. M. Bagnall, H. Mizuta, H. N. Rutt. Focused helium ion beam milling and deposition // Microelectronic Engineering. — 2011-08-01. — Т. 88, вып. 8. — С. 2452–2455. — doi:10.1016/j.mee.2010.11.041.
  38. ↑ Liming Ren, Baoqin Chen. Proximity effect in electron beam lithography // 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology, 2004. Proceedings. — 2004-10-01. — Т. 1. — С. 579–582 vol.1. — doi:10.1109/ICSICT.2004.1435073.
  39. ↑ Geraint Owen, Paul Rissman. Proximity effect correction for electron beam lithography by equalization of background dose // Journal of Applied Physics. — 1983-06-01. — Т. 54, вып. 6. — С. 3573–3581. — ISSN 1089-7550 0021-8979, 1089-7550. — doi:10.1063/1.332426. Архивировано 25 февраля 2016 года.
  40. ↑ Diederik Maas, Emile van Veldhoven, Ping Chen, Vadim Sidorkin, Huub Salemink. Nanofabrication with a helium ion microscope. — 2010-01-01. — Т. 7638. — С. 763814–763814-10. — doi:10.1117/12.862438.
  41. ↑ D. Winston, B. M. Cord, B. Ming, D. C. Bell, W. F. DiNatale. Scanning-helium-ion-beam lithography with hydrogen silsesquioxane resist // Journal of Vacuum Science & Technology B. — 2009-11-01. — Т. 27, вып. 6. — С. 2702–2706. — ISSN 2166-2754 2166-2746, 2166-2754. — doi:10.1116/1.3250204. Архивировано 25 февраля 2016 года.
  42. ↑ David C. Bell, Max C. Lemme, Lewis A. Stern, Charles M. Marcus. Precision material modification and patterning with He ions // Journal of Vacuum Science & Technology B. — 2009-11-01. — Т. 27, вып. 6. — С. 2755–2758. — ISSN 2166-2754 2166-2746, 2166-2754. — doi:10.1116/1.3237113. Архивировано 25 февраля 2016 года.
  43. ↑ Paul F. A. Alkemade, Emma M. Koster, Emile van Veldhoven, Diederik J. Maas. Imaging and Nanofabrication With the Helium Ion Microscope of the Van Leeuwenhoek Laboratory in Delft (англ.) // Scanning. — 2012-03-01. — Vol. 34, iss. 2. — P. 90–100. — ISSN 1932-8745. — doi:10.1002/sca.21009. Архивировано 3 мая 2016 года.
  44. ↑ 1 2 Colin A. Sanford, Lewis Stern, Louise Barriss, Lou Farkas, Mark DiManna. Beam induced deposition of platinum using a helium ion microscope // Journal of Vacuum Science & Technology B. — 2009-11-01. — Т. 27, вып. 6. — С. 2660–2667. — ISSN 2166-2754 2166-2746, 2166-2754. — doi:10.1116/1.3237095. Архивировано 1 марта 2016 года.
  45. ↑ Kenji Gamo, Nobuyuki Takakura, Norihiko Samoto, Ryuichi Shimizu, Susumu Namba. Ion Beam Assisted Deposition of Metal Organic Films Using Focused Ion Beams - IOPscience (англ.). — 1984-05-01. — doi:10.1143/jjap.23.l293/meta.
  46. ↑ H. M. Wu, L. A. Stern, J. H. Chen, M. Huth, C. H. Schwalb. Synthesis of nanowires via helium and neon focused ion beam induced deposition with the gas field ion microscope (англ.) // Nanotechnology. — 2013-01-01. — Vol. 24, iss. 17. — P. 175302. — ISSN 0957-4484. — doi:10.1088/0957-4484/24/17/175302.
  47. ↑ L. Zhang, N. F. Heinig, S. Bazargan, M. Abd-Ellah, N. Moghimi. Direct-write three-dimensional nanofabrication of nanopyramids and nanocones on Si by nanotumefaction using a helium ion microscope (англ.) // Nanotechnology. — 2015-01-01. — Vol. 26, iss. 25. — P. 255303. — ISSN 0957-4484. — doi:10.1088/0957-4484/26/25/255303.
  48. ↑ D. W. Bassett. The use of field ion microscopy in studies of the vapour deposition of metals // Surface Science. — 1970-10-01. — Т. 23, вып. 1. — С. 240–258. — doi:10.1016/0039-6028(70)90016-6.
  49. ↑ J. H. Franken, M. Hoeijmakers, R. Lavrijsen, J. T. Kohlhepp, H. J. M. Swagten. Precise control of domain wall injection and pinning using helium and gallium focused ion beams // Journal of Applied Physics. — 2011-04-01. — Т. 109, вып. 7. — С. 07D504. — ISSN 1089-7550 0021-8979, 1089-7550. — doi:10.1063/1.3549589. Архивировано 25 февраля 2016 года.
  50. ↑ F. H. M. Rahman, Shawn McVey, Louis Farkas, John A. Notte, Shida Tan. The Prospects of a Subnanometer Focused Neon Ion Beam (англ.) // Scanning. — 2012-03-01. — Vol. 34, iss. 2. — P. 129–134. — ISSN 1932-8745. — doi:10.1002/sca.20268. Архивировано 3 мая 2016 года.
  51. ↑ M. Melli, A. Polyakov, D. Gargas, C. Huynh, L. Scipioni. Reaching the Theoretical Resonance Quality Factor Limit in Coaxial Plasmonic Nanoresonators Fabricated by Helium Ion Lithography (EN) // Nano Letters. — 2013-05-01. — Т. 13, вып. 6. — С. 2687–2691. — doi:10.1021/nl400844a.
  52. ↑ Heiko Kollmann, Xianji Piao, Martin Esmann, Simon F. Becker, Dongchao Hou. Toward Plasmonics with Nanometer Precision: Nonlinear Optics of Helium-Ion Milled Gold Nanoantennas (EN) // Nano Letters. — 2014-07-25. — Т. 14, вып. 8. — С. 4778–4784. — doi:10.1021/nl5019589. Архивировано 23 мая 2017 года.
  53. ↑ Yudong Wang, Martina Abb, Stuart A. Boden, Javier Aizpurua, C. H. de Groot. Ultrafast Nonlinear Control of Progressively Loaded, Single Plasmonic Nanoantennas Fabricated Using Helium Ion Milling (EN) // Nano Letters. — 2013-10-17. — Т. 13, вып. 11. — С. 5647–5653. — doi:10.1021/nl403316z. Архивировано 23 мая 2017 года.
  54. ↑ Olivier Scholder, Konstantins Jefimovs, Ivan Shorubalko, Christian Hafner, Urs Sennhauser. Helium focused ion beam fabricated plasmonic antennas with sub-5 nm gaps (англ.) // Nanotechnology. — 2013-01-01. — Vol. 24, iss. 39. — P. 395301. — ISSN 0957-4484. — doi:10.1088/0957-4484/24/39/395301.
  55. ↑ Boris Luk'yanchuk, Nikolay I. Zheludev, Stefan A. Maier, Naomi J. Halas, Peter Nordlander. The Fano resonance in plasmonic nanostructures and metamaterials (англ.) // Nature Materials. — 2010-09-01. — Vol. 9, iss. 9. — P. 707–715. — ISSN 1476-1122. — doi:10.1038/nmat2810. Архивировано 10 декабря 2015 года.
  56. ↑ M. Annamalai, S. Mathew, V. Viswanathan, C. Fang, D.S. Pickard. Design, fabrication and Helium Ion Microscope patterning of suspended nanomechanical graphene structures for NEMS applications // Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conference (TRANSDUCERS), 2011 16th International. — 2011-06-01. — С. 2578–2581. — doi:10.1109/TRANSDUCERS.2011.5969824.
  57. ↑ МРЦ по направлению Нанотехнологии, Санкт-Петербургский государственный университет  (неопр.). nano.spbu.ru. Дата обращения: 18 февраля 2016. Архивировано 6 апреля 2016 года.

ЛитератураПравить

  1. Tondare V. N. // J. Vac. Sci. Technol.- 2005 — A23 — 1498
  2. Morgan J., Notte J., Hill R., Ward B. An Introduction to the Helium Ion Microscope // Microscopy Today — 2006. — Vol 14. — No. 4. — p. 24-31.
  3. Ward, B. W., Notte, J. A., Economou, N. P. Helium ion microscope: A new tool for nanoscale microscopy and metrology // J. Vac. Sci. Technol. — 2006. — B24 (6). — p. 2871—2875.
  4. Ramachandra R., Griffin B., Joy D.C., // Ultramicroscopy — 2009. — 109. — p. 748
  5. BellD. C. Contrast Mechanisms and Image Formation in Helium Ion Microscopy. // Microscopy and Microanalysis — 2009. — 15. — pp 147–153

СсылкиПравить

Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Сканирующий_гелиевый_ионный_микроскоп&oldid=124586598