Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Типы корпусов микросхем — Википедия
Википедия

Типы корпусов микросхем

(перенаправлено с «Система-в-корпусе»)

Корпус интегральной микросхемы (ИМС) — герметичная несущая система и часть конструкции, предназначенная для защиты кристалла интегральной схемы от внешних воздействий и для электрического соединения с внешними цепями посредством выводов. Для упрощения технологии автоматизированной сборки (монтажа) РЭА, включающей в себя ИМС, типоразмеры корпусов ИМС стандартизованы.

Советская микросхема К1ЖГ453. Разработка 1970 года, производство 1977 года

В советских (российских) корпусах ИМС расстояние между выводами (шаг) измеряется в миллиметрах; для корпусов типа 1 и 2 — 2,5 мм, для корпуса типа 3 под углом 30 или 45° и для типа 4 — 1,25 мм.

Зарубежные производители ИМС измеряют шаг в долях дюйма, милах (1/1000 дюйма) или используют величину 1/10 или 1/20 дюйма, что в переводе в метрическую систему соответствует 2,54 и 1,27 мм.

В современных импортных корпусах ИМС, предназначенных для поверхностного монтажа, применяют и метрические размеры: 0,8 мм; 0,65 мм и другие.

Выводы корпусов ИМС могут быть круглыми, диаметром 0,3—0,5 мм или прямоугольными, в пределах описанной окружности 0,4—0,6 мм.

ИМС выпускаются в двух конструктивных вариантах — корпусном и бескорпусном.

При монтаже ИМС на поверхность печатной платы необходимо принять меры по недопущению деформации корпуса. С одной стороны, должна обеспечиваться механическая прочность монтажа, гарантирующая устойчивость к механическим нагрузкам, с другой — определённая «гибкость» крепления, чтобы возможная в процессе нормальной эксплуатации деформация печатной платы не превысила допустимые пределы механической нагрузки на корпус ИМС, влекущей за собой различные негативные последствия: от растрескивания корпуса ИМС с последующей потерей герметичности до отрыва подложки от корпуса.

Кроме того, схема размещения корпусов ИМС на печатной плате, зависящая от конструкции платы и компоновки на ней элементов, должна обеспечить:

  • эффективный отвод тепла за счёт конвекции воздуха или с помощью теплоотводов;
  • возможность покрытия влагозащитным лаком без попадания его на места, не подлежащие покрытию;
  • свободный доступ к любой ИМС для её монтажа/демонтажа.

Бескорпусные микросхемы и микросборкиПравить

Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку (возможен непосредственный монтаж на печатную плату). Обычно, после монтажа, микросхему покрывают защитным лаком или компаундом с целью предотвратить или снизить влияние негативных факторов окружающей среды на кристалл.

Корпусные микросхемыПравить

Большая часть выпускаемых микросхем предназначена для отправки конечному потребителю, и это вынуждает производителя предпринимать меры по сохранности кристалла и самой микросхемы. Для уменьшения действия окружающей среды на время доставки и хранения у конечного покупателя, полупроводниковые кристаллы разным способом упаковывают.

История различных видов корпусовПравить

Запрос «Система-в-корпусе» перенаправляется сюда. На эту тему нужно создать отдельную статью.
Запрос «System-in-Package» перенаправляется сюда. На эту тему нужно создать отдельную статью.
 
Логический элемент, ИМС Texas Instruments SN5451, в корпусе англ. Flat package (FP) изобретённом Y. Tao в 1962 году, за два года до изобретения DIP
 
Он же, в пластиковом носителе

Самые ранние интегральные схемы упаковывались в плоские керамические корпуса. Такой тип корпусов широко используется военными из-за его надёжности и небольшого размера. Коммерческие микросхемы перешли к корпусам DIP (англ. Dual In-line Package), сначала изготавливавшимися из керамики, а затем из пластика. В 1980-х годах количество контактов СБИС превысило возможности DIP корпусов, что привело к созданию корпусов PGA (англ. pin grid array) и LCC (англ. leadless chip carrier). В конце 80-х, с ростом популярности поверхностного монтажа, появляются корпуса SOIC (англ. Small-Outline Integrated Circuit), имеющие на 30-50 % меньшую площадь чем DIP и на 70 % более тонкие и корпуса PLCC (англ. Plastic leaded chip carrier). В 90-х начинается широкое использование plastic quad flat pack (PQFP) и TSOP (англ. thin small-outline package) для интегральных схем с большим количеством выводов. Для сложных микропроцессоров, особенно для устанавливаемых в сокеты, используются PGA-корпуса. В настоящее время, Intel и AMD перешли от корпусов PGA к LGA (англ. land grid array, разъём с матрицей контактных площадок).

Корпуса BGA (англ. Ball grid array) существуют с 1970-х годов. В 1990-х годах были разработаны корпуса FCBGA (BGA, собранная методом перевернутого кристалла англ. flip-chip), допускающие намного большее количество выводов, чем другие типы корпусов. В FCBGA кристалл монтируется в перевёрнутом виде и соединяется с контактами корпуса через столбики (шарики) припоя. Монтаж методом перевёрнутого кристалла позволяет располагать контактные площадки по всей площади кристалла, а не только по краям.

В настоящее время активно развивается подход с размещением нескольких полупроводниковых кристаллов в едином корпусе, так называемая «Система-в-корпусе» (англ. System In Package, SiP) или на общей подложке, часто керамической, так называемый MCM (англ. Multi-Chip Module).

Корпуса ИМС, производившихся в СССРПравить

ИМС, произведённые в СССР до 1972 года, оформлены в нестандартные корпуса («Посол», «Вага 1Б», «Трапеция», «Тропа» и т. п.); их характеристики приведены в специальной технической документации на них, обычно ТУ.

Корпуса первых советских ИМС соответствовали требованиям ГОСТ 17467-72, который предусматривал четыре типа корпусов:

  1. тип 1: прямоугольный с выводами в пределах основания, перпендикулярно ему,
  2. тип 2: прямоугольный с выводами, расположенными за пределами основания, перпендикулярно ему,
  3. тип 3: круглый с выводами в пределах основания, перпендикулярно ему,
  4. тип 4: прямоугольный с выводами за пределами основания, параллельно плоскости основания.

Для обозначения типоразмера корпуса и его конструкции предусматривалось специальное условное обозначение, состоящее из четырёх элементов:

  1. цифра, обозначающая тип корпуса,
  2. две цифры, от 01 до 99, обозначающие типоразмер,
  3. цифра, обозначающая общее количество выводов,
  4. цифра, обозначающая номер модификации.

Режим и условия монтажа ИМС в РЭА по ОСТ 11 073.062-2001 (разработан ЦКБ Дейтон), с числом перепаек 2.

Цоколёвка ИМС советских и постсоветских лет выпуска часто совпадала со стандартом прототипов — функциональных аналогов серий 74 или 4000.

Чаще всего, массовые серии ИМС, производившиеся в СССР, были упакованы в следующие типы корпусов:

  • 201.9-1 (полимерный),
  • 201.12-1 (полимерный),
  • 201.14-1 и 201.14-12 (полимерный),
  • 201.14-8 и 201.14-9 (полимерный),
  • 201.14-10 (металлокерамический),
  • 201.16-6,
  • 201.16-13 (металлокерамический),
  • 238.12-1,
  • 238.16-1 и 238.16-2 (полимерный),
  • 238.16-5 (полимерный),
  • 238.18-13 (металлокерамический),
  • 238.18-3 (полимерный),
  • 238.24-1, 238.24-2, 238.24-6 и 238.24-7 (полимерный),
  • 301.8-2 (металлостеклянный),
  • 301.12-2 (металлостеклянный),
  • 401.14-4 (металлостеклянный),
  • 1101Ю.7-2,
  • 1102.8-1,
  • 1401Ю.5-1,
  • 1503Ю.11-1,
  • 1505Ю.17-1
  • 2101.8-1 (полимерный),
  • 2103.16-9 (полимерный),
  • 2104.12-1 (полимерный),
  • 2104.18-3 (полимерный),
  • 2104.18-1 (полимерный),
  • 2104.18-6 (полимерный),
  • 2120.24-1 (полимерный),
  • 2120.24-5 (полимерный),
  • 2120.24-6 (полимерный),
  • 2121.28-12,
  • 2121.29-1,
  • 4153.12-1 (полимерный),
  • М04.10-1 и
  • Ф08.16-1

BGA (Ball Grid Array)Править

 
Здесь микросхемы памяти, установленные на планку, имеют выводы типа BGA
Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT1018-1[1] Корпус содержащий 256 шариков. Квадратный корпус со стороной 17 мм, высотой 1,95 мм, шаг шариков 1 мм.

См. также ниже LBGA и LFBGA.

DBS (DIL Bent SIL)Править

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT157-2[2] 9 Ширина 4,5 мм, длина 23,8 мм, высота 12 мм, монтажная высота 17 мм, шаг выводов 2,54 мм
SOT523-1[3] 9 Ширина 2,5 мм, длина 13 мм, высота 14,5 мм, монтажная высота 21,4 мм, шаг выводов 1,27 мм
SOT141-6[4] 13 Ширина 4,5 мм, длина 23,8 мм, высота 12 мм, монтажная высота 17 мм, шаг выводов 1,7 мм
SOT243-1[5] 17 Ширина 4,5 мм, длина 23,8 мм, высота 12 мм, монтажная высота 17 мм, шаг выводов 1,27 мм
SOT411-1[6] 23 Ширина 4,45 мм, длина 30,15 мм, высота 12 мм, монтажная высота 16,9 мм, шаг выводов 1,27 мм

См. также ниже SIL

DIL (Dual In-Line)Править

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT97-1[7] 8 300 мил, плоский прямоугольный корпус (англ. slim corner leads), ширина 0.25", длина 0.375", высота 0.17", шаг выводов 0.1" Совместимость с IEC 050G01, JEDEC MO-001, JEITA SC-504-8
SOT27-1[8] 14 300 мил, ширина 0.25", длина 0.75", высота 0.17", шаг выводов 0.1" Совместимость с IEC 050G04, JEDEC MO-001, JEITA SC-501-14
SOT38-1[9] 16 300 мил, длинный корпус, ширина 0.25", длина 0.85", высота 0.19", шаг выводов 0.1" Совместимость с IEC 050G09, JEDEC MO-001, JEITA SC-503-16
SOT38-4[10] 16 300 мил, короткий корпус, плоский прямоугольный корпус, ширина 0.25", длина 0.75", высота 0.17", шаг выводов 0.1"
SOT146-1[11] 20 300 мил, ширина 0.245", длина 1.0525", высота 0.17", шаг выводов 0.1" Совместимость с JEDEC MS-001, JEITA SC-603
SOT101-1[12] 24 600 мил, широкий/длинный корпус, ширина 0.55", длина 1.25", высота 0.2", шаг выводов 0.1" Совместимость с IEC 051G02, JEDEC MO-015, JEITA SC-509-24
SOT222-1[13] 24 300 мил, узкий/длинный корпус, ширина 0.2555", длина 1.248", высота 0.185", шаг выводов 0.1" Совместимость с JEDEC MS-001
SOT117-1[14] 28 600 мил, короткий корпус, ширина 0.55", длина 1.375", высота 0.2", шаг выводов 0.1" Совместимость с IEC 051G05, JEDEC MS-015, JEITA SC-510-28
SOT117-2[15] 28 600 мил, длинный корпус, ширина 0.5525", длина 1.4375", высота 0.2", шаг выводов 0.1" Совместимость с IEC 051G06, JEDEC MS-011, JEITA SC-510-28
SOT129-1[16] 40 600 мил, ширина 0.55", длина 2.0475", высота 0.19", шаг выводов 0.1" Совместимость с IEC 051G08, JEDEC MO-015, JEITA SC-511-40
SOT240-1[17] 48 600 мил, ширина 0.545", длина 2.44", высота 0.19", шаг выводов 0.1" Совместимость с JEDEC MS-011

См. также ниже HDIP

DQFN (Depopulated Quad Flat-pack, безвыводной)Править

Также, варианты:

DHVQFN (Depopulated Heatsink Very-thin Quad Flat-pack, безвыводной).
DHXQFN (Depopulated Heatsink eXtremely-thin Quad Flat-pack, безвыводной).
Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT762-1[18] 14 Очень тонкий, с металлической стороной, ширина 2,5 мм, длина 3 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-241
SOT763-1[19] 16 Очень тонкий, с металлической стороной, ширина 2,5 мм, длина 3,5 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-241
SOT764-1[20] 20 Очень тонкий, с металлической стороной, ширина 2,5 мм, длина 4,5 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-241
SOT1045-1[21] 20 Экстремально тонкий, без металлической стороны, ширина 2,5 мм, длина 4,5 мм, высота 0,5 мм, шаг выводов 0,5 мм
SOT815-1[22] 24 Очень тонкий, с металлической стороной 3,5 мм, длина 5,5 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм

HBCC (Heatsink Bottom Chip Carrier)Править

англ. Heat sink — английское название вентиляторного охладителя.

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT564-1[23] 24 Квадратный корпус со стороной 4 мм, высота 0,8 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-217

HDIP (Heat-dissipating Dual In-line Package)Править

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT398-1[24] 18 Ширина 6,35 мм, длина 21,55 мм, высота 4,7 мм, шаг выводов 2,54 мм

HSOP (Heatsink Small Outline Package)Править

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT566-3[25] 24 Низкопосадочная высота (англ. Low stand-off height), ширина 11 мм, длина 15,9 мм, высота 3,5 мм, шаг выводов 1 мм

HTSSOP (Heatsink Thin Shrink Small Outline Package)Править

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT527-1[26] 20 Ширина 4,4 мм, длина 6,9 мм, высота 1,1 мм, шаг выводов 0,65 мм Совместимость с JEDEC MO-153
SOT1172-2[27] 28 Ширина 4,4 мм, длина 9,7 мм, высота 1,1 мм, шаг выводов 0,65 мм Совместимость с JEDEC MO-153
SOT549-1[28] 32 Ширина 6,1 мм, длина 11 мм, высота 1,1 мм, шаг выводов 0,65 мм Совместимость с JEDEC MO-153

HUQFN (Heatsink Ultra-thin Quad Flat-pack, безвыводной)Править

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT1008-1[29] 60 Ширина 5 мм, длина 5 мм, высота 0,6 мм, шаг выводов 0,5 мм
SOT1025-1[30] 60 Ширина 4 мм, длина 5 мм, высота 0,6 мм, шаг выводов 0,5 мм

HVQFN (Heatsink Very-thin Quad Flat-pack, безвыводной)Править

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT629-1[31] 16 Квадратный корпус со стороной 4 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,65 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT758-1[32] 16 Квадратный корпус со стороной 3 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 ммm Совместимость с JEDEC MO-220
SOT758-3[33] 16 Срезанные углы, упрочненный квадратный корпус со стороной 3 мм, высота 0,9 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT662-1[34] 20 Квадратный корпус со стороной 5 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,65 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT910-1[35] 20 Ширина 5 мм, длина 6 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,8 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT616-1[36] 24 Квадратный корпус со стороной 4 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT905-1[37] 24 Квадратный корпус со стороной 3 мм, высота 0,85 мм, шаг выводов 0,4 мм
SOT788-1[38] 28 Квадратный корпус со стороной 6 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT617-1[39] 32 Квадратный корпус со стороной 5 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT617-3[40] 32 Большой радиатор, Квадратный корпус со стороной 5 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT619-1[41] 48 Квадратный корпус со стороной 7 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT778-3[42] 48 Квадратный корпус со стороной 6 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,4 мм
SOT778-4[43] 48 Большой радиатор, Квадратный корпус со стороной 6 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,4 мм
SOT684-1[44] 56 Квадратный корпус со стороной 8 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT804-2[45] 64 Квадратный корпус со стороной 9 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-220

HVSON (Heatsink Very-thin Small Outline; No-leads)Править

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT908-1[46] 8 Квадратный корпус со стороной 3 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-229
SOT909-1[47] 8 Квадратный корпус со стороной 4 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,8 мм Совместимость с JEDEC MO-229
SOT650-1[48] 10 Квадратный корпус со стороной 3 мм, высота 1 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-229

HWQFN (Heatsink Very-Very-thin Quad Flat-pack; No-leads)Править

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT994-1[49] 24 Квадратный корпус со стороной 4 мм, высота 0,8 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместимость с JEDEC MO-220
SOT1180-1[50] 32 Ширина 35 мм, длина 65 мм, высота 0,8 мм, шаг выводов 0,4 мм
SOT1031-1[51] 48 Квадратный корпус со стороной 7 мм, высота 0,8 мм, шаг выводов 0.5 мм
SOT1033-1[52] 56 Ширина 5 мм, длина 11 мм, высота 0,8 мм, шаг выводов 0,5 мм

См. также HUQFN, HVQFN и HXQFN.

HWSON (Heatsink Very-Very-thin Small Outline package; No leads)Править

Номер SOT Количество выводов Габариты корпуса, особенности
SOT1069-1[53] 8 Прямоугольный термоустойчивый корпус, ширина 3 мм, длина 2 мм, высота 0,8 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместим с JEDEC MO-229
SOT1069-2[54] 8 Термоустойчивый корпус со срезанными углами ширина 3 мм, длина 2 мм, высота 0,8 мм, шаг выводов 0,5 мм Совместим с JEDEC MO-229

См. также HVSON и HXSON.

HXQFN (Heatsink eXtremely-thin Quad Flat-pack; No-leads)Править

См. также HUQFN, HVQFN и HWQFN.

HXSON (Heatsink eXtremely Small Outline Package; No leads)Править

См. также HVSON и HWSON.

LBGA (Low-profile Ball Grid Array)Править

См. также BGA и LFBGA.

LFBGA (Low-profile Fine-pitch Ball Grid Array)

См. также BGA и LBGA.

LQFP (Low-profile Quad Flat Pack)Править

PicoGateПравить

См. также TSSOP и VSSOP.

PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)Править

PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) и СLCC (Ceramic Leaded Chip Carrier) представляют собой квадратный корпус с расположенными по краям контактами, предназначенный для установки в специальную панель (часто называемую «кроваткой»). В настоящее время широкое распространение получили микросхемы флэш-памяти в корпусе PLCC, используемые в качестве микросхемы BIOS на системных платах.

 
Zilog Z80 в 44-контактном QFP корпусе.

QFP (Quad Flat Package)Править

QFP (от англ. Quad Flat Package) — семейство корпусов микросхем, имеющих планарные выводы, расположенные по всем четырём сторонам.

Микросхемы в таких корпусах предназначены только для поверхностного монтажа; установка в разъём или монтаж в отверстия штатно не предусмотрен, хотя переходные коммутационные устройства существуют. Количество выводов QFP микросхем обычно не превышает 200, с шагом от 0,4 до 1,0 мм.

QSOP (Quarter Size Outline Package)Править

RBS (Rectangular-Bent Single in-line)Править

См. также SIL.

SIL(Single In-Line)Править

См. также DBS и RDS.

 
Микросхемы в корпусе SOIC

SO (Small Outline)Править

См. также HSOP.

SSOP-II (Shrink Small Outline Package)Править

SSOP-III (Shrink Small Outline Package)Править

TFBGA (Thin Fine-pitch Ball Grid Array)Править

TQFP (Thin Quad Flat Package)Править

TSSOP-I (Thin Shrink Small Outline Package)Править

См. также HT SSOP.

TSSOP-II (Thin Shrink Small Outline Package)Править

См. также HT SSOP и TVSOP.

TVSOP (Thin Very Small Outline Package)Править

VFBGA (Very thin Fine-pitch Ball Grid Array)Править

VSO (Very Small Outline)Править

VSSOP (Very thin Shrink Small Outline Package)Править

XQFN (eXtremely thin Quad Flat package; No leads)Править

XSON (eXtremely thin Small Outline package; No leads)Править

Примечания:

  • Некоторые из приведённых в таблице корпусов известны под названием MicroPak.
  • Некоторые из приведённых в таблице корпусов совместимы с NanoStar.
  • Корпус с шагом выводов 0,5 мм («стандартный корпус» — 6 выводов) обозначен индексом GM
  • Корпус с шагом выводов 0,5 мм («стандартный корпус» — 8 выводов) обозначен индексом GT
  • Корпус с шагом выводов 0,5 мм («широкий корпус») обозначен индексом GD
  • Корпус с шагом выводов 0,35 мм («короткий корпус») обозначен индексом GF
  • Корпус с шагом выводов 0,35 мм, высотой 0,35 мм («короткий и тонкий корпус») обозначен индексом GS
  • Корпус с шагом выводов 0,3 мм, высотой 0,35 мм («очень короткий и тонкий корпус») обозначен индексом GN

См. такжеПравить

ПримечанияПравить

  1. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 9 декабря 2017. Архивировано 10 декабря 2017 года.
  2. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  3. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 20 октября 2016 года.
  4. ↑ Packages :: NXP Semiconductors
  5. ↑ Packages :: NXP Semiconductors
  6. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  7. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  8. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  9. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  10. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  11. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  12. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  13. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  14. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  15. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  16. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  17. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  18. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 20 октября 2016 года.
  19. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  20. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  21. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  22. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  23. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  24. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  25. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  26. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  27. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 20 октября 2016 года.
  28. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  29. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  30. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  31. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  32. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  33. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  34. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  35. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  36. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано из оригинала 25 апреля 2017 года.
  37. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  38. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  39. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 4 августа 2016 года.
  40. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  41. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  42. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  43. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  44. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  45. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  46. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  47. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  48. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  49. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  50. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  51. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  52. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  53. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.
  54. ↑ Packages :: NXP Semiconductors  (неопр.). Дата обращения: 17 октября 2018. Архивировано 25 апреля 2017 года.

СсылкиПравить

Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Типы_корпусов_микросхем&oldid=127740025