Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Сегнетоэлектрический гистерезис — Википедия

Сегнетоэлектрический гистерезис

Сегнетоэлектрический гистерезис — неоднозначная зависимость поляризации P сегнетоэлектриков от приложенного внешнего электрического поля E при его циклическом изменении. Ниже точки Кюри сегнетоэлектрические кристаллы обладают спонтанной (самопроизвольной, то есть возникающей в отсутствие внешнего электрического поля) электрической поляризацией P c . При этом направление поляризации в отличие от пироэлектриков можно изменить прикладывая внешнее электрическое поле противоположного направления. Тогда зависимость P ( E ) в полярной фазе (при наличии спонтанной поляризации) неоднозначна, и значение P при данном E зависит от предыстории, а именно от того, каким было электрическое поле в предшествующие моменты времени. Для характеризации сегнетоэлектрического гистерезиса в диэлектриках используют следующие параметры:

  • остаточная поляризованность кристалла P r , при E = 0
  • значение поля E K (коэрцитивное поле) при котором происходит переполяризация.
Зависимость поляризации P от напряжённости электрического поля E в сегнетоэлектрике.

Для чистых монокристаллов петля гистерезиса имеет прямоугольную форму[1]. В объёмных поликристаллах или монокристаллов макроскопической поляризации не наблюдается в отсутствии механических напряжений и внешних полей, благодаря доменной структуре. Внутри одного домена поляризация направлена в одном направлении, а в соседнем поляризация направлена в противоположном направлении, что уменьшает полную энергию материала. Таким образом для создания макроскопической поляризации необходимо переориентировать домены в объёме, что отражено на рисунке где поляризация начинается из начала координат[2].

ПримечанияПравить

ЛитератураПравить

  • Головнин В. А., Каплунов И. А., Малышкина О. В., Педько Б. Б., Мовчикова А. А. Физические основы, методы исследования и практическое применение пьезоматериалов. — М.: Техносфера, 2016. — 272 с. — ISBN 978-5-94836-352-3.