Са Чжитан

Са Чжитан
Са Чжитан
Дата рождения	10 ноября 1932(1932-11-10) (90 лет)
Место рождения	Пекин, Китайская Республика;
Страна	США; Китайская Республика;
Место работы	Флоридский университет; Иллинойский университет в Урбана-Шампейне;
Альма-матер	Стэнфордский университет; система Иллинойсских университетов;
Ученики	Сократис Пантелидис
Награды и премии	J. J. Ebers Award[d] (1981) член Американского физического общества[d] honorary doctor of the Xiamen University[d] (2010)

Са Чжита́н (англ. Chih-Tang (Tom) Sah, кит. трад. 薩支唐, упр. 萨支唐, пиньинь Sà Zhītáng, р. 10 ноября 1932) — китайский и американский учёный, почётный член отделения Электрической и Компьютерной инженерии Университета Флориды.^[2]

Обрел популярность в физике и технике известной моделью Са при рассмотрении стандартных МОП-транзисторов, опубликованной в 1964 году.^[3]^[4] Суть модели Са заключается в упрощении рассмотрения режима «сильной инверсии на поверхности полупроводника, возникающей вследствие эффекта поля и позволяющей получить аналитическое решение для вольт-амперных характеристик (ВАХ) МОП-транзисторов». В свою очередь это позволило осмысленно использовать МОП-транзисторы в технике, бурное развитие которой в 70-е годы привело к разработке СБИС (сверхбольших интегральных схем), которые широко используются даже сегодня при производстве микропроцессоров.

Список наградПравить

2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University
2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA
2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award
2000 — Избран в Китайскую Академию Наук
1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan
1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award
1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association
1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science
1995 — IEEE Life Fellow
1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois
В 1989 — IEEE Jack Morton Award
1986 — Избран в Американскую национальную Академию Инженеров
1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society
1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven
1971 — Член Американского Физического Товарищества
1969 — Член Американского Института по Электрики и Электронной Инженерии (IEEE)
1000 world’s Most Cited Scientists, 1865—1978, Институт научной информации

ЛитератураПравить

Kurze Biographie bei NSTI Nanotechnology Conference 2005

ПримечанияПравить

↑ Bibliothèque nationale de France Record #123154056 // BnF catalogue général (фр.) — Paris: BnF.
↑ www.ece.ufl.edu/people/faculty/sah.html Архивировано 12 ноября 2007 года.
↑ C. T. Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)
↑ «Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models», B. B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, Август 2007.

ПатентыПравить

3,204,160 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, August 1965
3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966
3,243,669 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, March 1969
Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel
4,343,962 — Oxide Induced Charge High Low Emitter Junction Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982

[_8980318328c911c2-1] Bibliothèque nationale de France Record #123154056 // BnF catalogue général (фр.) — Paris: BnF.

[2] www.ece.ufl.edu/people/faculty/sah.html Архивировано 12 ноября 2007 года.

[3] C. T. Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)

[4] «Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models», B. B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, Август 2007.

[2]

[1]

[3]

[4]