Ол, Рассел

Рассел Ол
Рассел Ол
Дата рождения	31 января 1898(1898-01-31)
Место рождения	Аллентаун, Пенсильвания, США;
Дата смерти	20 марта 1987(1987-03-20) (89 лет)
Место смерти	Виста, Сан-Диего, Калифорния, США;
Страна	США;
Род деятельности	изобретатель, физик, инженер

Рассел Шумейкер Ол (англ. Russell Shoemaker Ohl; 30 января 1898 (1898-01-30), Аллентаун — 20 марта 1987) — американский инженер, известный своими исследованиями полупроводников еще до открытия транзистора. В 1946 году он получил патент США на конструкцию современного солнечного элемента (U.S. Patent 2 402 662)^[1].

В 1939 году Ол открыл явление p-n-перехода^[2]. В то время мало кто знал о примесях в кристаллах полупроводников, но Расселу удалось выявить, что наличие этих примесей некоторые участки полупроводника имели большее сопротивление, и как следствие, хуже проводили электрический ток. Барьер между участками разной «чистоты» заставлял полупроводниковый диод работать. Все современные диоды (светодиоды, лазерные и т д.) являются потомками работ Ола.

ПримечанияПравить

↑ Riordan M. & Hoddeson L. The origins of the pn junction (англ.). IEEE Spectrum, June 1997, pp. 46-51.. Дата обращения: 6 октября 2010. Архивировано 28 июня 2012 года.
↑ Silicon P-N Junction (англ.). 1999, ScienCentral Inc. and American Institute of Physics. Дата обращения: 19 октября 2015. Архивировано 3 октября 2017 года.

СсылкиПравить

IEEE History Center: Oral History of Russell Ohl Архивная копия от 2 февраля 2014 на Wayback Machine (англ.)
PBC Biography of Russell Ohl Архивная копия от 9 сентября 2017 на Wayback Machine (англ.)

[Spect07-97-1] Riordan M. & Hoddeson L. The origins of the pn junction (англ.). IEEE Spectrum, June 1997, pp. 46-51.. Дата обращения: 6 октября 2010. Архивировано 28 июня 2012 года.

[p-n-junction-2] Silicon P-N Junction (англ.). 1999, ScienCentral Inc. and American Institute of Physics. Дата обращения: 19 октября 2015. Архивировано 3 октября 2017 года.

[1]

[2]