Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Мю (электроника) — Википедия

Мю (электроника)

μ (мю) в электронике — предельно возможный коэффициент усиления напряжения активного электронного прибора — транзистора, электронной лампы или более сложного схемотехнического узла. μ определяется как отношение (а) приращения напряжения на выходных электродах (коллектор-эмиттер, сток-исток, анод-катод) и (б) приращения управляющего напряжения (база-эмиттер, затвор-исток, сетка-катод), вызывающих одинаковое изменение выходного тока (тока коллектора, тока стока, тока анода)[1]. Усиление напряжения в μ раз теоретически возможно лишь при бесконечно большом сопротивлении нагрузки; в реальных каскадах с конечным сопротивлением нагрузки коэффициент усиления всегда меньше μ . Крутизна передаточной характеристики S , внутреннее сопротивление между выходными электродами R i и коэффициент усиления μ связаны между собой уравнением параметров триода (в иностранных источниках «формула ван дер Бейла»)

μ = S r i [2].

Биполярные транзисторыПравить

Для биполярного транзистора

μ = S r c e = ( I c ϕ t ) ( U a I c ) = U a ϕ t  [3][4],

где I c   — ток коллектора, U a   — напряжение Эрли, ϕ t   — температурный коэффициент, составляющий для кремния примерно 26 мВ при температуре +25°С[4]. При типичных напряжениях Эрли кремниевых транзисторов и нормальной температуре μ n p n 1000...6000  , и μ p n p 1000...3000  [5]. Для транзисторов (в отличие от ламп) величина μ   не входит в число основных параметров[4] и практически никогда не указывается в явном виде, так как является эквивалентом напряжения Эрли[5]. В практических расчётах μ   применяется редко (эффектом Эрли обычно можно пренебречь) — это теоретический предел для однотранзисторного каскада с общим эмиттером или общей базой[4], реализуемый только на холостом ходу (без отбора мощности нагрузкой)[5]. Приблизиться к расчётному μ   в реальном усилителе можно, лишь используя активную коллекторную нагрузку на транзисторном источнике тока (резистивная нагрузка потребовала бы запредельно высокого напряжения питания)[5].

ТриодыПравить

Для вакуумного триода

μ = 1 / D = C c k / C a k  [6],

где D   — электростатическая проницаемость управляющей сетки, C c k , C a k   — ёмкости сетка-катод и анод-катод. Величина μ  , обратная проницаемости, служит мерой эффективности экранирующего действия сетки: чем гуще навита сетка, что соответствует бо́льшим значениям μ  , тем слабее влияние анода на протекающий ток[7][6]. μ   практически не изменяется по мере старения лампы, практически не зависит от тока накала или температуры катода, и слабо зависит от выбора рабочей точки. При нормальных отрицательных смещениях на сетке μ   практически неизменен[6]. При положительных напряжениях на сетке μ   спадает из-за ответвления части катодного тока в цепь сетки, а при отрицательных напряжениях, близких к запирающему — из-за островкового эффекта[6]. Наименьшие значение μ  , примерно 2..3, свойственны специализированным мощным триодам для стабилизаторов напряжения, имеющим минимально возможное выходное сопротивление. В лампах для усиления напряжения и мощности диапазон μ   простирается от примерно 4 (мощные выходные триоды прямого накала) до 120 (лампы с высоким μ   для усиления напряжения)[8].

ПримечанияПравить

  1. Батушев, 1969, с. 85.
  2. Батушев, 1969, с. 86—87.
  3. Титце и Шенк, т.1, 2008, с. 124.
  4. 1 2 3 4 Титце и Шенк, т.1, 2008, с. 565.
  5. 1 2 3 4 Титце и Шенк, т.1, 2008, с. 125.
  6. 1 2 3 4 Батушев, 1969, с. 86.
  7. Батушев, 1969, с. 61.
  8. Whitaker J. The Electronics Handbook. — CRC Press, 1996. — P. 300. — ISBN 9780849383458.

ЛитератураПравить

  • Батушев В. А. Электронные приборы. — М. : Высшая школа, 1969. — 608 с. — 90 000 экз.
  • Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Том I. — 12-е издание. — М. : ДМК-Пресс, 2008. — 832 с. — ISBN 5940741487.