Это не официальный сайт wikipedia.org 01.01.2023

Карбид кремния — Википедия
Википедия

Карбид кремния

Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, в микроэлектронике (в силовых установках электроавтомобилей), для имитирующих алмаз вставок в ювелирные украшения.

Карбид кремния
Siliciumcarbid.jpg
Общие
Хим. формула SiC
Физические свойства
Состояние кристаллы, друзы или кристаллические порошки от прозрачного белого, жёлтого, зелёного или тёмно-синего до чёрного цветов, в зависимости от чистоты, дисперсности, аллотропных и политипных модификаций.
Молярная масса 40,0962 г/моль
Плотность 3,21 г/см³[1]
Твёрдость 9,5
Энергия ионизации 9,3 ± 0,1 эВ[2]
Термические свойства
Температура
 • плавления (с разл.) 2730 °C
 • сублимации 4892 ± 1 ℉[2]
Давление пара 0 ± 1 мм рт.ст.[2]
Химические свойства
Растворимость
 • в воде нерастворим
 • в кислотах нерастворим
Оптические свойства
Показатель преломления 2,55[3]
Классификация
Рег. номер CAS 409-21-2
PubChem 9863
Рег. номер EINECS 206-991-8
SMILES
InChI
RTECS VW0450000
ChEBI 29390
ChemSpider 9479
Безопасность
NFPA 704
Огнеопасность 0: Негорючее веществоОпасность для здоровья 1: Воздействие может вызвать лишь раздражение с минимальными остаточными повреждениями (например, ацетон)Реакционноспособность 0: Стабильно даже при действии открытого пламени и не реагирует с водой (например, гелий)Специальный код: отсутствуетNFPA 704 four-colored diamond
0
1
0
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.
Логотип Викисклада Медиафайлы на Викискладе

Открытие и начало производстваПравить

 
Повторение эксперимента Г. Д. Раунда

О ранних, не систематических и часто непризнанных синтезах карбида кремния сообщали Деспретз (фр. César Despretz; 1849), Марсден (англ. Robert Sydney Marsden; 1880) и Колсон (англ. Robert Sydney Marsden; 1882 год)[4]. Широкомасштабное производство начал Эдвард Гудрич Ачесон в 1893 году. Он запатентовал метод получения порошкообразного карбида кремния 28 февраля 1893 года[5]. Ачесон также разработал электрическую печь, в которой карбид кремния создаётся до сих пор. Он основал компанию The Carborundum Company для производства порошкообразного вещества, которое первоначально использовалось в качестве абразива[6].

Исторически первым способом использования карбида кремния было использование в качестве абразива. За этим последовало применение и в электронных устройствах. В начале XX века карбид кремния использовался в качестве детектора в первых радиоприемниках[7]. В 1907 году Генри Джозеф Раунд создал первый светодиод, подавая напряжение на кристаллы SiC и наблюдая за жёлтым, зелёным и оранжевым излучением на катоде. Эти эксперименты были повторены О. В. Лосевым в СССР в 1923 году[8].

Формы нахождения в природеПравить

 
Монокристалл муассанита (~1 мм в размере)

Природный карбид кремния — муассанит можно найти только в ничтожно малых количествах в некоторых типах метеоритов и в месторождениях корунда и кимберлита. Практически любой карбид кремния, продаваемый в мире, в том числе и в виде муассанитового украшения, является синтетическим. Природный муассанит был впервые обнаружен в 1893 году в виде небольших шестиугольных пластинчатых включений в метеорите Каньон Диабло в Аризоне Фердинандом Анри Муассаном, в честь которого и был назван минерал в 1905 году[9]. Исследование Муассана о естественном происхождении карбида кремния было изначально спорным, потому что его образец мог быть загрязнён крошкой карбида кремния от пилы (в то время пилы уже содержали данное вещество)[10].

Хоть карбид кремния и является редким веществом на Земле, он широко распространён в космосе. Это вещество встречается в пылевых облаках вокруг богатых углеродом звёзд, также его много в первозданных, не подвергшихся изменениям, метеоритах (почти исключительно в форме бета-полиморфа). Анализ зёрен карбида кремния, найденных в углеродистом хондритовом метеорите Мёрчисон, показал аномальное изотопное соотношение углерода и кремния, что указывает на происхождение данного вещества за пределами Солнечной системы: 99 % зёрен SiC образовалось около богатых углеродом звёзд, принадлежащих к асимптотической ветви гигантов[11]. Карбид кремния можно часто обнаружить вокруг таких звёзд по их ИК-спектрам[12].

ПроизводствоПравить

Из-за редкости нахождения в природе муассанита карбид кремния, как правило, имеет искусственное происхождение. Простейшим способом производства является спекание кремнезёма с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре 1600—2500 °C:

SiO 2 + 3 C → 1600 − 2500   ∘ C SiC + 2 CO ↑  
 
Синтетические кристаллы SiC ~3 мм в диаметре

Чистота карбида кремния, образующегося в печи Ачесона, зависит от расстояния до графитового резистора в ТЭНе.

Кристаллы высокой чистоты бесцветного, бледно-жёлтого и зелёного цвета находятся ближе всего к резистору. На большем расстоянии от резистора цвет изменяется на синий или чёрный из-за примесей. Загрязнителями чаще всего являются азот и алюминий, они влияют на электропроводность полученного материала[13].

 
Кристаллы карбида кремния, полученные благодаря процессу Лели[en]

Чистый карбид кремния можно получить с помощью так называемого процесса Лели[en][14], в котором порошкообразный SiC возгоняется в атмосфере аргона при 2500 °C и осаждается на более холодной подложке в виде чешуйчатых монокристаллов размерами до 2 см × 2 см. Этот процесс даёт высококачественные монокристаллы, получающиеся из-за быстрого нагрева до высоких температур и в основном состоящие из 6H-SiC фазы. Улучшенный процесс Лели при участии индукционного нагрева в графитовых тиглях даёт ещё большие монокристаллы до 10 см в диаметре[15]. Кубический SiC, как правило, выращивается с помощью более дорогостоящего процесса — химического осаждения паров[13][16].

Чистый карбид кремния также может быть получен путём термического разложения полимера полиметилсилана (SiCH3)n, в атмосфере инертного газа при низких температурах. Относительно CVD-процесса метод пиролиза более удобен, поскольку из полимера можно сформировать изделие любой формы перед запеканием в керамику[17][18][19][20].

Структура и свойстваПравить

Известно примерно 250 кристаллических форм карбида кремния[21]. Полиморфизм SiC характеризуется большим количеством схожих кристаллических структур, называемых политипами. Они являются вариациями одного и того же химического соединения, которые идентичны в двух измерениях, но отличаются в третьем. Таким образом, их можно рассматривать как слои, сложенные в стопку в определённой последовательности[22].

Альфа-карбид кремния (α-SiC) является наиболее часто встречающимся полиморфом. Эта модификация образуется при температуре свыше 1700 °C и имеет гексагональную решётку, кристаллическая структура типа вюрцита.

Бета-модификация (β-SiC), с кристаллической структурой типа цинковой обманки (аналог структуры алмаза), образуется при температурах ниже 1700 °C[23]. До недавнего времени бета-форма имела сравнительно небольшое коммерческое использование, однако в настоящее время в связи с использованием его в качестве гетерогенных катализаторов интерес к ней увеличивается. Нагревание бета-формы до температур свыше 1700 °C способно приводить к постепенному переходу кубической бета-формы в гексагональную (2Н, 4Н, 6Н, 8Н) и ромбичеcкую (15R).[24] При повышении температуры и времени процесса все образующиеся формы переходят в конечном итоге в гексагональный альфа-политип 6Н.[25]

Свойства основных политипов карбида кремния[26][27]
Политип 3C (β) 4H 6H (α)
Кристаллическая структура Кубичкская Гексагональная Гексагональная
Пространственная группа T d 2 − F 43 m   C 6 v 4 − P 6 3 m c   C 6 v 4 − P 6 3 m c  
Символ Пирсона cF8 hP8 hP12
Постоянные решётки (Å) 4,3596 3,0730; 10,053 3,0810; 15,12
Плотность (г/см3) 3,21 3,21 3,21
Ширина запрещённой зоны (эВ) 2,36 3,23 3,05
МОС (ГПа) 250 220 220
Теплопроводность (Вт/(см·К)) 3,6 3,7 4,9

Чистый карбид кремния бесцветен. Его оттенки от коричневого до чёрного цвета связаны с примесями железа. Радужный блеск кристаллов обусловливается тем, что при контакте с воздухом на их поверхности образуется плёнка из диоксида кремния, что приводит к пассивированию внешнего слоя.

Карбид кремния является весьма инертным химическим веществом: практически не взаимодействует с большинством кислот, кроме концентрированных фтористоводородной (плавиковой), азотной и ортофосфорной кислот. Способен выдерживать нагревание на открытом воздухе до температур порядка 1500 °C. Карбид кремния не плавится при любом известном давлении, но способен сублимировать при температурах свыше 1700 °C. Высокая термическая устойчивость карбида кремния делает его пригодным для создания подшипников и частей оборудования для высокотемпературных печей.

Существует большой интерес в использовании данного вещества в качестве полупроводникового материала в электронике, где высокая теплопроводность, высокое электрическое напряжение пробоя и высокая плотность электрического тока делают его перспективным материалом для высокомощных устройств[28], в том числе при создании сверхмощных светодиодов. Карбид кремния имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0⋅10−6 K−1) и в достаточно широком температурном диапазоне эксплуатации не испытывает фазовых переходов (в том числе фазовых переходов второго рода), из-за которых может произойти разрушение монокристаллов[13].

ЭлектропроводностьПравить

Карбид кремния является полупроводником, тип проводимости которого зависит от примесей. Проводимость n-типа получается при легировании азотом или фосфором, а p-тип — с помощью алюминия, бора, галлия или бериллия[3]. Металлическая проводимость была достигнута за счёт сильного легирования бором, алюминием и азотом.

Сверхпроводимость была обнаружена в политипах 3C-SiC:Al, 3C-SiC:B и 6H-SiC:B при одинаковой температуре — 1,5 К[29].

Физические свойстваПравить

Карбид кремния является твёрдым, тугоплавким веществом. Кристаллическая решётка аналогична решётке алмаза. Является полупроводником.[30]

Химические свойстваПравить

Карбид кремния является единственным бинарным соединением, образуемым элементами IV группы периодической таблицы элементов Д. И. Менделеева. По типу химической связи карбид кремния относится к ковалентным кристаллам. Доля ионной связи, обусловленной некоторым различием в электроотрицательностях атомов Si и C, не превышает 10—12 %. Энергия ковалентной связи между атомами кремния и углерода в кристаллах SiC почти в три раза превышает энергию связи между атомами в кристаллах кремния. Благодаря сильным химическим связям карбид кремния выделяется среди других материалов высокой химической и радиационной стойкостью, температурной стабильностью физических свойств, большой механической прочностью и высокой твёрдостью. В инертной атмосфере карбид кремния разлагается только при очень высокой температуре:

SiC → 2830   ∘ C Si + C  

Сильно перегретый пар разлагает карбид кремния:

SiC + 2 H 2 O → 1300   ∘ C SiO 2 + CH 4 ↑  

Концентрированные кислоты и их смеси растворяют карбид кремния:

3 SiC + 8 HNO 3 ⟶ 3 SiO 2 + 3 CO 2 ↑ + 8 NO ↑ + 4 H 2 O  
3 SiC + 18 HF + 8 HNO 3 ⟶ 3 H 2 [ SiF 6 ] + 3 CO 2 ↑ + 8 NO ↑ + 10 H 2 O  

В присутствии кислорода щёлочи растворяют карбид кремния:

SiC + 2 NaOH + 2 O 2 ⟶ Na 2 SiO 3 + CO 2 ↑ + H 2 O  
SiC + 4 NaOH + 2 O 2 → > 350   ∘ C Na 2 SiO 3 + Na 2 CO 3 + 2 H 2 O  

При нагревании реагирует с кислородом:

2 SiC + 3 O 2 → 950 − 1700   ∘ C 2 SiO 2 + 2 CO ↑  

с галогенами:

SiC + 2 Cl 2 → 600 − 1200   ∘ C SiCl 4 + C  

с азотом, образуя нитрид кремния:

6 SiC + 7 N 2 → 1000 − 1400   ∘ C 2 Si 3 N 4 + 3 C 2 N 2  

с активными металлами:

2 SiC + 5 Mg → 700   ∘ C 2 Mg 2 Si + MgC 2  

и их пероксидами:

SiC + 4 Na 2 O 2 → 700 − 800   ∘ C Na 2 SiO 3 + Na 2 CO 3 + 2 Na 2 O  

ПрименениеПравить

Абразивные и режущие инструментыПравить

 
Режущие диски из карбида кремния

В современной гранильной мастерской карбид кремния является популярным абразивом из-за его прочности и низкой стоимости. В обрабатывающей промышленности из-за его высокой твёрдости он используется в абразивной обработке в таких процессах как шлифование, хонингование, водоструйная резка и пескоструйная обработка. Частицы карбида кремния ламинируются на бумагу для создания шлифовальной шкурки[33].

Суспензии мелкодисперсных порошков карбида кремния в масле, глицерине или этиленгликоле используются в процессе проволочной резки полупроводниковых монокристаллов на пластины.

В 1982 году случайно был обнаружен композит, состоящий из оксида алюминия и карбида кремния, кристаллы которого растут в виде очень тонких нитей[34].

Конструкционные материалыПравить

 
Карбид кремния используется в качестве лицевого слоя композитной секции противопулевого бронежилета

Карбид кремния наряду с карбидом вольфрама и другими износостойкими материалами применяется для создания торцевых механических уплотнений.

В 1980-х и 1990-х годах карбид кремния исследовался в нескольких научно-исследовательских программах разработки высокотемпературных газовых турбин в США, Японии и Европе. Планировалось, что разработанные компоненты из карбида кремния заменят рабочие и сопловые лопатки турбин из никелевых жаропрочных сплавов. Тем не менее, ни один из этих проектов не привёл к промышленному производству, в основном из-за низкого сопротивления ударным нагрузкам и низкой вязкости разрушения карбида кремния[35].

Подобно другим высокотвёрдым керамическим материалам (оксид алюминия и карбид бора), карбид кремния используется как компонент композитной брони, применяемой для защиты вооружения и военной техники, а также в виде составного элемента слоистой брони керамика/органопластик противопульных жилетов. В бронежилете «Шкура дракона», созданном компанией Pinnacle Armor, используются диски из карбида кремния[36].

АвтомотодеталиПравить

 
Углерод-керамические (карбид кремния) дисковые тормоза Porsche Carrera GT

Инфильтрованый кремний в материале «композит углерод-углерод» используется для производства высококачественных «керамических» дисковых тормозов, так как способен выдерживать экстремальные температуры. Кремний вступает в реакцию с графитом в «композите углерод-углерод», становясь армированным углеродным волокном карбида кремния (C/SiC). Диски из этого материала используются на некоторых спортивных автомобилях, в том числе Porsche Carrera GT, Bugatti Veyron, Chevrolet Corvette ZR1, Bentley, Ferrari, Lamborghini[37]. Карбид кремния используется также в спечённых формах в дизельных фильтрах для очистки от твёрдых частиц[38][уточнить].

Электроника и электротехникаПравить

Первыми электрическими устройствами из SiC были нелинейные элементы варисторы и вентильные разрядники (см. также: тирит, вилит, лэтин, силит) для защиты электроустановок от перенапряжений. Карбид кремния в разрядниках применяется в виде материала вилита — смеси SiC и связующего. Варистор обладает высоким сопротивлением до тех пор, пока напряжение на нём не достигнет определённого порогового значения VT, после чего его сопротивление падает до более низкого уровня и поддерживает это значение, пока приложенное напряжение не упадёт ниже VT[39].

Электронные приборы
 
Светодиод

Карбид кремния используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и в высокотемпературных тиристорах[40]. По сравнению с приборами на основе кремния и арсенида галлия приборы из карбида кремния имеют следующие преимущества:

  • в несколько раз большая ширина запрещённой зоны;
  • в 10 раз большая электрическая прочность;
  • высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C);
  • теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз больше, чем у арсенида галлия;
  • устойчивость к воздействию радиации;
  • стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Из почти 250 модификаций карбида кремния только две применяются в полупроводниковых приборах — 4H-SiC и 6H-SiC.

Проблемы с сопряжением элементов, основанных на диоксиде кремния, препятствуют развитию n-МОП транзисторов и IGBT, основанных на карбидокремнии. Другая проблема заключается в том, что сам SiC пробивается при высоких электрических полях в связи с образованием цепочек дефектов упаковки, но эта проблема может быть решена совсем скоро[прояснить][41].

История светодиодов из SiC весьма примечательна: впервые свечение в SiC было обнаружено Х. Роундом в 1907 году. Первые коммерческие светодиоды были также на основе карбида кремния. Жёлтые светодиоды из 3C-SiC были изготовлены в СССР в 1970-х годах[42], а синие (из 6H-SiC) по всему миру — в 1980-х годах[43]. Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10—100 раз более яркую эмиссию. Эта разница в эффективности связана с неблагоприятной непрямой запрещённой зоной SiC, в то время как нитрид галлия имеет прямую запрещённую зону, которая способствует увеличению интенсивности свечения. Тем не менее, SiC по-прежнему является одним из важных компонентов светодиодов — это популярная подложка для выращивания устройств из нитрида галлия, также он служит теплораспределителем в мощных светодиодах[43].

Астрономия и точная оптикаПравить

Жесткость, высокая теплопроводность и низкий коэффициент теплового расширения делают карбид кремния термостабильным материалом в широком диапазоне рабочих температур. Это обуславливает широкое применение карбидкремниевых матриц для изготовления зеркальных элементов в различных оптических системах, например, в астрономических телескопах или в системах передачи энергии с использованием лазерного излучения. Развитие технологий (химическое осаждение паров) позволяет создавать диски из поликристаллического карбида кремния до 3,5 метров в диаметре. Заготовки зеркал могут формироваться различными методами, включая прессование чистого мелкого порошка карбида кремния под высоким давлением. Несколько телескопов (например, Gaia) уже оснащены оптикой из карбида кремния, покрытого серебром[44][45].

ПирометрияПравить

 
Изображения теста пирометрии. Высота пламени 7 см

Волокна из карбида кремния используются для измерения температуры газов оптическим методом, называемым тонкой пирометрией накаливания. При измерении тонкие нити (диаметр 15 мкм) из карбида кремния вводят в зону измерения. Волокна практически не влияют на процесс горения, а их температура близка к температуре пламени. Таким методом может быть измерена температура в диапазоне 800—2500 K[46][47].

Нагревательные элементыПравить

Первые упоминания об использовании карбида кремния для изготовления нагревательных элементов относятся к началу 20 века, когда они были изготовлены The Carborundum Company в США и EKL в Берлине[источник не указан 3211 дней].

В настоящее время карбид кремния является одним из типичных материалов для изготовления нагревательных элементов, способных работать при температурах до 1400 °C на воздухе и до 2000 °C в нейтральной или восстановительной среде[источник не указан 3211 дней], что заметно выше, чем доступно для многих металлических нагревателей[источник не указан 3211 дней].

Нагревательные элементы из карбида кремния используются при плавлении цветных металлов и стекла, при термической обработке металлов, флоат-стекла, при производстве керамики, электронных компонентов и т. д.[48]

Ядерная энергетикаПравить

Благодаря высокой устойчивости к воздействию внешних неблагоприятных факторов, включая природные, высокой прочности и твёрдости, низкому коэффициенту теплового расширения и низкому коэффициенту диффузии примесей и продуктов деления реакционноспечённый карбид кремния нашёл применение в ядерной энергетике[49].

Карбид кремния, наряду с другими материалами, используется в качестве слоя из триструктурально-изотропного покрытия для элементов ядерного топлива в высокотемпературных реакторах, в том числе в газоохлаждаемых реакторах[источник не указан 24 дня].

Из карбида кремния изготавливаются пеналы для длительного хранения и захоронения ядерных отходов[источник не указан 24 дня].

Ювелирные изделияПравить

 
Кольцо с синтетическим муассанитом

Как ювелирный камень карбид кремния используется в ювелирном деле под названием «синтетический муассанит» или просто «муассанит». Муассанит похож на алмаз: он прозрачен и твёрд (9—9,5 по шкале Мооса, по сравнению с 10 для алмаза), с показателем преломления 2,65—2,69 (по сравнению с 2,42 для алмаза).

Муассанит имеет несколько более сложную структуру, чем обычный кубический диоксид циркония. В отличие от алмаза, муассанит может иметь сильное двулучепреломление. Это качество является желательным в некоторых оптических конструкциях, но только не в драгоценных камнях. По этой причине муассанитовые драгоценности разрезают вдоль оптической оси кристалла, чтобы свести к минимуму эффект двупреломления. Муассанит имеет более низкую плотность 3,21 г/см3 (против 3,53 г/см3 для алмаза) и гораздо более устойчив к теплу. В результате получается камень с большим блеском минерала, с чёткими гранями и хорошей устойчивостью к внешним воздействиям. В отличие от алмаза, который горит при температуре 800 °C, муассанит остаётся неповреждённым вплоть до температуры в 1800 °C (для сравнения: 1064 °C — температура плавления чистого золота). Муассанит стал популярен как заменитель алмаза и может быть ошибочно принят за алмаз, так как его теплопроводность гораздо ближе к алмазу, чем у любого другого заменителя бриллианта. Драгоценный камень можно отличить от алмаза с помощью его двулучепреломления и очень небольшой зелёной или жёлтой флуоресценции в ультрафиолетовом свете[50].

Производство сталиПравить

Карбид кремния выступает в качестве топлива для изготовления стали в конвертерном производстве. Он чище, чем уголь, что позволяет сократить отходы производства. Также может быть использован для повышения температуры и регулирования содержания углерода. Использование карбида кремния стоит меньше и позволяет производить чистую сталь из-за низкого уровня содержания микроэлементов, по сравнению с ферросилицием и сочетанием с углеродом[51].

КатализаторПравить

Естественная резистентность карбида кремния к окислению, а также открытие новых путей синтеза кубической формы β-SiC с большей площадью поверхности, приводит к большому интересу в использовании его в качестве гетерогенного катализатора. Эта форма уже использовалась в качестве катализатора при окислении углеводородов, таких как н-бутан, малеиновый ангидрид[52][53].

Производство графенаПравить

Карбид кремния используется для производства графена с помощью графитизации при высоких температурах. Это производство рассматривается как один из перспективных методов синтеза графена в больших масштабах для практических применений[54][55]. Высокая температура (2830 °C, как выше указано в реакции) приводит к разложению карбида кремния. Кремний как более летучий элемент уходит из приповерхностных слоёв, оставляя одно- или многослойный графен, нижние из которых сильно связаны с объёмным кристалом. В качестве исходного материала используют монокристаллы 6H-SiC(0001), на поверхности которых формировались террасы графена в результате термообработки с размерами около 1 мкм, разделённые областями с несколькими слоями[56].

Применение в строительствеПравить

Может использоваться в качестве фибры в фибробетоне (аналогично базальтовому волокну)[57].

См. такжеПравить

ПримечанияПравить

  1. ↑ Patnaik, P. Handbook of Inorganic Chemicals (англ.). — McGraw-Hill Education, 2002. — ISBN 0070494398.
  2. ↑ 1 2 3 http://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0555.html
  3. ↑ 1 2 Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Архивировано 24 апреля 2012 года.
  4. ↑ Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing (англ.). — Springer, 1997. — P. 115. — ISBN 0412540606.
  5. ↑ Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline carbonaceous material» (англ.).
  6. ↑ The Manufacture of Carborundum — a New Industry (англ.) (4 July 1894). Архивировано 23 января 2009 года.
  7. ↑ Dunwoody, Henry H. C. (1906) U.S. Patent 837 616 «Wireless telegraph system» (silicon carbide detector) (англ.).
  8. ↑ Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha.: A History of Electroluminescent Displays (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
  9. ↑ Moissan, Henri. Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo (фр.) // Comptes rendus  (англ.) (рус. : magazine. — 1904. — Vol. 139. — P. 773—786. Архивировано 2 декабря 2019 года.
  10. ↑ Di Pierro S. et al. Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide) (итал.) // American Mineralogist  (англ.) (рус. : diario. — 2003. — V. 88. — P. 1817—1821. Архивировано 24 сентября 2015 года.
  11. ↑ Alexander C. M. O'D. In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites (англ.) // Nature : journal. — 1990. — Vol. 348. — P. 715—717. — doi:10.1038/348715a0.
  12. ↑ Jim Kelly. The Astrophysical Nature of Silicon Carbide  (неопр.). Архивировано 4 мая 2017 года.
  13. ↑ 1 2 3 Harris, Gary Lynn. Properties of silicon carbide (англ.). — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170—180. — ISBN 0852968701.
  14. ↑ Lely, Jan Anthony. Darstellung von Einkristallen von Silicium Carbid und Beherrschung von Art und Menge der eingebauten Verunreinigungen (нем.) // Berichte der Deutschen Keramischen Gesellschaft : Журнал. — 1955. — H. 32. — S. 229—236.
  15. ↑ N. Ohtani, T. Fujimoto, T. Aigo, M. Katsuno, H. Tsuge, H. Yashiro. Large high-quality silicon carbide substrates (англ.) // Nippon Steel Technical Report. — 2001. — No. 84. Архивировано 4 марта 2012 года.
  16. ↑ Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology (англ.). — Springer, 2003. — P. 180—200. — ISBN 3540003673.
  17. ↑ Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) (англ.) // журнал Advanced Materials. — 2004. — P. 706. — doi:10.1002/adma.200306467.
  18. ↑ Park, Yoon-Soo. SiC materials and devices (англ.). — Academic Press, 1998. — P. 20—60. — ISBN 0127521607.
  19. ↑ Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres (англ.) // Journal of Materials Science. — 2006. — P. 823. — doi:10.1007/s10853-006-6566-z.
  20. ↑ Laine, Richard M. Preceramic polymer routes to silicon carbide (англ.). — Babonneau, Florence: Chemistry of Materials, 1993. — P. 260. — doi:10.1021/cm00027a007.
  21. ↑ Cheung, Rebecca. Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments (англ.). — Imperial College Press, 2006. — P. 3. — ISBN 1860946240.
  22. ↑ Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies (англ.). — Journal of Applied Physics, 1994. — P. 1363. — doi:10.1063/1.358463.
  23. ↑ Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide (англ.). — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044204.
  24. ↑ Карбид кремния / под ред. Г. Хенита и Р. Рол, пер. с англ. — М.: Мир, 1972. — 349 с., с ил. — С. 119—128.
  25. ↑ Г. Г. Гнесин. Карбидокремниевые материалы. — М.: Металлургия, 1977. — 216 с., с ил.
  26. ↑ Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Дата обращения: 6 июня 2009. Архивировано 24 апреля 2012 года.
  27. ↑ Yoon-Soo Park, Willardson, Eicke R. Weber. SiC materials and devices (англ.). — Academic Press, 1998. — P. 1—18. — ISBN 0127521607.
  28. ↑ Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.). — IEEE Transactions on Electron Devices, 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
  29. ↑ Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (англ.) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — Iss. 9. — P. 044205. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044205.
  30. ↑ Важнейшие соединения кремния  (рус.). Дата обращения: 24 мая 2010. Архивировано из оригинала 13 октября 2007 года.
  31. ↑ 1 2 3 4 Рабинович, В. А. Кремния карбид // Краткий химический справочник / В. А. Рабинович, З. Я. Хавин. — Л. : Химия, 1977. — С. 74.
  32. ↑ А. М. Голуб. Общая и неорганическая химия = Загальна та неорганична хімія. — Вища школа, 1971. — С. 227. — 443 с. — 6700 экз.
  33. ↑ Fuster, Marco A. (1997) «Skateboard grip tape», U.S. Patent 5 622 759 (англ.).
  34. ↑ Bansal, Narottam P. Handbook of ceramic composites (англ.). — Springer, 2005. — P. 312. — ISBN 1402081332.
  35. ↑ Ceramics for turbine engines (англ.). Архивировано 6 апреля 2009 года.
  36. ↑ Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight (англ.). Future Firepower. Архивировано 24 апреля 2012 года.
  37. ↑ Top 10 Fast Cars (англ.). Архивировано из оригинала 26 августа 2009 года.
  38. ↑ O'Sullivan, D.; Pomeroy, M. J.; Hampshire, S.; Murtagh, M. J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits (англ.) // MRS proceedings. — 2004. — Iss. 19. — P. 2913—2921. — doi:10.1557/JMR.2004.0373.
  39. ↑ Whitaker, Jerry C. The electronics handbook (англ.). — CRC Press, 2005. — P. 1108. — ISBN 0849318890.
  40. ↑ Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.) // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
  41. ↑ Madar, Roland. Materials science: Silicon carbide in contention (англ.) // Nature : Журнал. — 2004-08-26. — Iss. 430. — P. 974—975. — doi:10.1038/430974a.
  42. ↑ Yellow SiC LED (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
  43. ↑ 1 2 Stringfellow, Gerald B. High brightness light emitting diodes (англ.). — Academic Press, 1997. — P. 48, 57, 425. — ISBN 0127521569.
  44. ↑ The largest telescope mirror ever put into space (англ.), European Space Agency. Архивировано 19 октября 2012 года. Дата обращения: 3 мая 2010.
  45. ↑ Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope (англ.) // Journal Proc. SPIE. — P. 263. Архивировано 1 октября 2017 года.
  46. ↑ Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames (англ.), NASA. Архивировано 15 марта 2012 года. Дата обращения: 3 мая 2010.
  47. ↑ Maun, Jignesh D.; Sunderland, P. B.; Urban, D. L. Thin-filament pyrometry with a digital still camera (англ.) // Applied Optics. — 2007. — Iss. 4. — P. 483. — doi:10.1364/AO.46.000483. — PMID 17230239.
  48. ↑ Yeshvant V. Deshmukh. Industrial heating: principles, techniques, materials, applications, and design. — CRC Press, 2005. — С. 383—393. — ISBN 0849334055.
  49. ↑ López-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties (англ.) // Journal of Nuclear Materials : журнал. — 2009. — P. 219. — doi:10.1016/j.jnucmat.2009.03.013.
  50. ↑ O'Donoghue, M. Gems (англ.). — Elsevier. — 2006. — P. 89. — ISBN 0-75-065856-8.
  51. ↑ Silicon carbide (steel industry) (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
  52. ↑ Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts : heterogeneous catalysts : [англ.]. — CRC Press, 2000. — P. 258. — ISBN 0849394171.
  53. ↑ Singh, S. K. High surface area silicon carbide from rice husk : A support material for catalysts : [англ.] / S. K. Singh, K. M. Parida, B. C. Mohanty … [et al.] // Reaction Kinetics and Catalysis Letters. — 1995. — Vol. 54. — P. 29–34. — doi:10.1007/BF02071177.
  54. ↑ de Heer, Walt A. Handbook of Nanophysics (англ.). — Epitaxial graphene: Taylor and Francis, 2010. — ISBN 1420075381. (недоступная ссылка)
  55. ↑ de Heer, Walt A. Epitaxial graphene (англ.) // Solid State Communications. — 2007. — P. 92. — doi:10.1016/j.ssc.2007.04.023. Архивировано 9 декабря 2008 года.
  56. ↑ Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства (рус.) // Успехи физических наук. — Российская академия наук, 2011. — Т. 181. — С. 227—258. — doi:10.3367/UFNr.0181.201103a.0233. Архивировано 14 декабря 2012 года.
  57. ↑ 212. К. А. Сарайкина, В. А. Шаманов Дисперсное армирование бетонов // Вестник ПГТУ. Урбанистика. 2011. № 2.

СсылкиПравить

  • Kelly, Jim. A brief history of SiC : [арх. 19.01.2008] // Jim Kelly's filing cabinet. — Department of Chemistry, University College London, 2005. — 5 февраля. — Дата обращения: 23.06.2020.
  • Карбид кремния: технология, свойства, применение / Под ред. Беляева А. Е., Конаковой Р. В. — Харьков: ИСМА, 2010. — 532 с. — ISBN 978-966-02-5445-9
  • Дигонский С. В. Газофазные процессы синтеза и спекания тугоплавких веществ. — М.: ГЕОС, 2013. — 462 с.
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=Карбид_кремния&oldid=127832814