Институт сильноточной электроники СО РАН

Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН
(ИСЭ СО РАН)
Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН; (ИСЭ СО РАН)
Основан	1977
Директор	Николай Александрович Ратахин, профессор
Сотрудников	130
Расположение	Россия, Томск
Юридический адрес	634055, Томск, пр. Академический, 2/3
Сайт	hcei.tsc.ru

Институт сильноточной электроники СО РАН — один из институтов Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук. Расположен в Томском академгородке.

Из-за вторжения России на Украину институт находится под санкциями всех стран Евросоюза^[3], США^[4], Японии^[5], Украины и Швейцарии^[6].

Общие сведенияПравить

Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы^[7].

РазработкиПравить

В 1977 г. в НИИ были созданы мощные компактные генераторы линейно поляризованных однонаправленных пучков сверхширокополосного электромагнитного излучения с наносекундной и субнаносекундной длительностью импульса. Разработка была осуществлена в рамках исследования действия сверхмощных гига- и тераваттных электрических импульсов на электронную аппаратуру^[8].

ИсторияПравить

Институт был создан в 1977 году в Томском академгородке^[2].

ДиректораПравить

Институт возглавляли^[2]:

1977—1986 — академик РАН Месяц, Геннадий Андреевич
1986—2002 — академик РАН Бугаев, Сергей Петрович.
2002—2006 — академик РАН Коровин, Сергей Дмитриевич.
с 2006 — академик РАН Николай Александрович Ратахин.

СтруктураПравить

Отдел импульсной техники — заведующий лабораторией и затем отделом по настоящее время доктор технических наук, академик РАН Ковальчук, Борис Михайлович^[9]
Отдел высоких плотностей энергии (основатель и первый руководитель лаборатории и отдела Лучинский, Андрей Владимирович^[10])
Отдел физической электроники
Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (заведующие: П. М. Щанин, до мая 2001 года, а затем Н. Н. Коваль)^[11]
Лаборатория высокочастотной электроники (с 1977 по 1986 год руководил академик С. П. Бугаев, а затем доктор физматнаук В. И. Кошелев)^[12]
Лаборатория вакуумной электроники
Лаборатория газовых лазеров
Лаборатория оптических излучений
Лаборатория низкотемпературной плазмы
Лаборатория прикладной электроники
Лаборатория теоретической физики
Лаборатория плазменных источников
Конструкторско-технологический отдел
Группа автоматизации научных исследований

ДирекцияПравить

Директор — Ратахин, Николай Александрович, академик РАН, профессор, доктор физико-математических наук^[1]^[13]
Зам. директора по научной работе:
- Турчановский Игорь Юрьевич, кандидат физико-математических наук
- Коваль Николай Николаевич, доктор технических наук
Научный руководитель
- Месяц, Геннадий Андреевич, академик РАН, профессор

См. такжеПравить

Институт цитологии и генетики СО РАН

ПримечанияПравить

↑ ¹ ² Руководство ИСЭ СО РАН (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 30 марта 2017 года.
↑ ¹ ² ³ http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/history/history.html Архивная копия от 30 ноября 2009 на Wayback Machine История Института сильноточной электроники СО РАН]
↑ Official Journal of the European Union L153 (неопр.).
↑ Минторг США включит в санкционный лист 120 военных предприятий из России и Беларуси. Полный список (неопр.). Белсат. Дата обращения: 15 января 2023.
↑ Япония запретила ввоз связанных с химоружием товаров в РФ (рус.). ПРАВО. Дата обращения: 15 января 2023.
↑ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (рус.). Война и санкции. Дата обращения: 15 января 2023.
↑ Основные направления научной деятельности Института сильноточной электроники СО РАН (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 2 марта 2014 года.
↑ Гуревич В. И. «Микропроцессорные реле защиты. Устройства. Проблемы. Перспективы.» «Инфра-Инженерия», 2011 г.
↑ Отдел импульсной техники (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
↑ Отдел ВПЭ (неопр.). Дата обращения: 24 октября 2018. Архивировано 24 октября 2018 года.
↑ Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
↑ Лаборатория высокочастотной электроники (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
↑ Дирекция ИСЭ СО РАН (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 18 апреля 2009 года.

СсылкиПравить

Официальный сайт института Архивная копия от 27 мая 2010 на Wayback Machine

[hcei1-1] ¹ ² Руководство ИСЭ СО РАН (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 30 марта 2017 года.

[hcei2-2] ¹ ² ³ http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/history/history.html Архивная копия от 30 ноября 2009 на Wayback Machine История Института сильноточной электроники СО РАН]

[3] Official Journal of the European Union L153 (неопр.).

[автоссылка1-4] Минторг США включит в санкционный лист 120 военных предприятий из России и Беларуси. Полный список (неопр.). Белсат. Дата обращения: 15 января 2023.

[5] Япония запретила ввоз связанных с химоружием товаров в РФ (рус.). ПРАВО. Дата обращения: 15 января 2023.

[6] ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (рус.). Война и санкции. Дата обращения: 15 января 2023.

[7] Основные направления научной деятельности Института сильноточной электроники СО РАН (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 2 марта 2014 года.

[8] Гуревич В. И. «Микропроцессорные реле защиты. Устройства. Проблемы. Перспективы.» «Инфра-Инженерия», 2011 г.

[9] Отдел импульсной техники (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.

[10] Отдел ВПЭ (неопр.). Дата обращения: 24 октября 2018. Архивировано 24 октября 2018 года.

[11] Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.

[12] Лаборатория высокочастотной электроники (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.

[13] Дирекция ИСЭ СО РАН (неопр.). Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 18 апреля 2009 года.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]

[12]

[13]