Закон Вегарда

Закон Вегарда — апроксимированное эмпирическое правило, которое гласит, что существует линейная зависимость при постоянной температуре между свойствами кристаллической решётки сплава и концентрацией отдельных его элементов.

Таким образом, параметры кристаллической решётки ($\mathit{a}$${\mathit {a}}$) твёрдого раствора (сплава) материалов с одинаковой структурой решётки, могут быть найдены путём линейной интерполяции между параметрами решётки исходных соединений, например для твёрдых растворов Si_xGe_1-x и InP_xAs_1-x:

${\mathit{a}}_{SiGe}=\mathit{x}{\mathit{a}}_{Si}+(1-<!--\; -\; -->\mathit{x}){\mathit{a}}_{Ge}$${\mathit {a}}_{SiGe}={\mathit {x}}{\mathit {a}}_{Si}+(1-{\mathit {x}}){\mathit {a}}_{Ge}$

${\mathit{a}}_{InPAs}=\mathit{x}{\mathit{a}}_{InP}+(1-<!--\; -\; -->\mathit{x}){\mathit{a}}_{InAs}$${\mathit {a}}_{InPAs}={\mathit {x}}{\mathit {a}}_{InP}+(1-{\mathit {x}}){\mathit {a}}_{InAs}$.

Можно также расширить это соотношение для определения энергии запрещенной зоны полупроводника. Используя, как и в предыдущем случае, InP_xAs_1-x, можно найти выражение, которое описывает зависимость энергии запрещенной зоны полупроводника ${\mathit{E}}_{\mathit{g}}$${\mathit {E_{g}}}$ от соотношения её составляющих и параметра $\mathit{b}$${\mathit {b}}$ где $\mathit{b}$${\mathit {b}}$-параметр прогиба(нелинейности), имеющий тем большее значение, чем сильнее различие периодов решёток компонентов:

${{\mathit{E}}_{\mathit{g}}}_{InPAs}=\mathit{x}{{\mathit{E}}_{\mathit{g}}}_{InP}+(1-<!--\; -\; -->\mathit{x}){{\mathit{E}}_{\mathit{g}}}_{InAs}-<!--\; -\; -->\mathit{b}\mathit{x}(1-<!--\; -\; -->\mathit{x})$${\mathit {E_{g}}}_{InPAs}={\mathit {x}}{\mathit {E_{g}}}_{InP}+(1-{\mathit {x}}){\mathit {E_{g}}}_{InAs}-{\mathit {bx}}(1-{\mathit {x}})$

См. такжеПравить

• Изоморфизм