Глинский, Геннадий Фёдорович

Геннадий Фёдорович Глинский
Геннадий Фёдорович Глинский
Дата рождения	10 сентября 1944(1944-09-10) (78 лет)
Место рождения	Химки, Московская область, РСФСР, СССР;
Страна	СССР; Россия;
Учёная степень	доктор физико-математических наук

Глинский Геннадий Федорович (род. 10 сентября 1944, г. Химки Моск. обл.) — электрофизик, специалист в области электродинамики, квантовой механики, квантовой теории поля, физики полупроводников, физики наноструктур. Окончил ЛЭТИ по специальности «Диэлектрики и полупроводники» (1969). доктор физико-математических наук (1996), профессор (1998). С 1969 г. работает на кафедре диэлектриков и полупроводников ЛЭТИ (теперь кафедра микро- и наноэлектроники).

Научные интересы: электродинамика движущихся сред, нелинейные поля в вакууме и геометрия пространства-времени, квантовая теория поля, физика полупроводников, теория экситонов и поляритонов, методы теории групп в квантовой механике и физике твердого тела. В последние годы — расчет энергетических состояний носителей зарядов в полупроводниковых квантово-размерных структурах (квантовые ямы, нити, точки и сверхрешетки), расчет зонной структуры фотонных кристаллов. Читает лекции, ведет практические и лабораторные работы по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводников», «Оптика полупроводников», "Физика наносистем".

Основные научные результаты:

предсказано влияние нелинейных электромагнитных полей в вакууме на геометрию пространства-времени;
развита релятивистская электродинамика движущихся анизотропных сред. Определены необходимые и достаточные условия отсутствия в них двулучепреломления света. В рамках общей теории относительности строго доказано отсутствие двулучепреломления света в гравитационном поле;
построена теория малых колебаний произвольно искривленных мембран и минимальных поверхностей;
в рамках функциональных методов квантовой теории поля развита микроскопическая теория экситонных и экситон-фононных поляритонов в кристаллах;
методом инвариантов построены эффективные kp-гамильтонианы для гетероструктур на основе прямозонных полупроводников А3В5;
показано, что в приближении эффективной массы точное уравнение Шредингера для электронов и дырок в полупроводниковых гетероструктурах представляет собой систему однородных алгебраических уравнений. В этих уравнениях узлы решетки Браве выступают в роли естественных дискретных переменных, необходимых для описания эффективных гамильтонианов и огибающих волновых функций;
построена теория фотонных кристаллов на основе сред с произвольной анизотропией и гиротропией диэлектрической и магнитной проницаемостей.

Автор более 100 научных статей и двух монографий (Г. Ф. Глинский. Полупроводники и полупроводниковые наноструктуры: симметрия и электронные состояния. СПб: Изд-во "Технолит", 2008. 324 с. ISBN 5-7629-0933-6; Г. Ф. Глинский. Методы теории групп в квантовой механике. СПб: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2012. 200 с. ISBN 978-5-7629-1239-6)

ЛитератураПравить

Выдающиеся выпускники и деятели Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина). 1886—2006: биографический справочник / под ред. Д. В. Пузанкова. СПб: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2006. 350 с. ISBN 5-7629-0721-X