Биполярный транзистор с изолированным затвором

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления)^[1]. Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами #Применение .

Условное графическое обозначение БТИЗ

Каскадное включение транзисторов двух типов позволяет сочетать их достоинства в одном приборе: выходные характеристики биполярного (большое допустимое рабочее напряжение и сопротивление открытого канала, пропорциональное току, а не квадрату тока, как у полевых) и входные характеристики полевого (минимальные затраты на управление). Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других электрода — эмиттером и коллектором, как у биполярного^[2]^[3].

Выпускаются как отдельные IGBT, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока.

ИсторияПравить

До 1990-х годов в качестве силовых полупроводниковых приборов, помимо тиристоров, использовались биполярные транзисторы. Их эффективность была ограничена несколькими недостатками:

необходимость большого тока базы для включения;
наличие токового «хвоста» при запирании, поскольку ток коллектора не спадает мгновенно после снятия тока управления — появляется сопротивление в цепи коллектора, и транзистор нагревается;
зависимость параметров от температуры;
напряжение насыщения цепи коллектор-эмиттер ограничивает минимальное рабочее напряжение.

С появлением полевых транзисторов, выполненных по технологии МОП (англ. MOSFET), ситуация изменилась. В отличие от биполярных, полевые транзисторы:

управляются не током, а напряжением;
их параметры не так сильно зависят от температуры;
их рабочее напряжение теоретически не имеет нижнего предела благодаря использованию многоячеистых СБИС;
имеют низкое сопротивление канала (менее миллиома);
могут работать в широком диапазоне токов (от миллиампер до сотен ампер);
имеют высокую частоту переключения (сотни килогерц и больше);
высокие рабочие напряжения при больших линейных и нагрузочных изменениях, тяжёлых рабочих циклах и низких выходных мощностях.

Схематичное изображение внутренней структуры отечественного БТИЗ

Полевые МОП-транзисторы легко управляются, что свойственно транзисторам с изолированным затвором, и имеют встроенный диод утечки для ограничения случайных бросков тока. Типичные применения этих транзисторов — импульсные преобразователи напряжения с высокими рабочими частотами, аудиоусилители (так называемого класса D).

Схематичное изображение внутренней структуры западных IGBT

Первые мощные полевые транзисторы были созданы в СССР в НИИ «Пульсар» (разработчик — В. В. Бачурин) в 1973 году, а их ключевые свойства исследованы в Смоленском филиале МЭИ (научный руководитель — В. П. Дьяконов)^[4]. В рамках этих работ в 1977 году был предложен составной транзистор, в котором мощный биполярный транзистор управляется посредством полевого транзистора с изолированным затвором. Было показано, что выходные токи и напряжения составных структур определяются биполярным транзистором, а входные — полевым. При этом биполярный транзистор в ключе на основе составного транзистора не насыщается, что резко уменьшает задержку при выключении^[5] и определяет достоинства таких приборов в роли силовых ключей^[6]. На полупроводниковый прибор, названный «побистором», получено авторское свидетельство СССР № 757051. Он выполнен в виде единой структуры, содержащей мощный биполярный транзистор, на поверхности которого создан полевой транзистор с V-образным изолированным затвором^[7]

Первый промышленный образец БТИЗ был запатентован International Rectifier в 1983 году. Позднее, в 1985 году, был разработан БТИЗ с полностью плоской структурой (без V-канала) и более высокими рабочими напряжениями. Это произошло почти одновременно в лабораториях фирм General Electric (Скенектади, штат Нью-Йорк) и RCA (Принстон, штат Нью-Джерси). Первоначально устройство называли COMFET, GEMFET или IGFET.^{[источник не указан 2337 дней]} В 1990-е годы приняли название IGBT. Первые БТИЗ не получили распространения из-за врождённых пороков — медленного переключения и низкой надёжности. Второе (1990-е годы) и третье (современное) поколения IGBT в целом избавились от этих пороков.

ДостоинстваПравить

БТИЗ сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:

высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности — от полевых транзисторов с изолированным затвором;
низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии — от биполярных транзисторов;
малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
управление как у MOSFET — напряжением.

Диапазон использования — от десятков до 1200 ампер по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. В диапазоне токов до десятков ампер и напряжений до 500 В целесообразно применение обычных МОП- (МДП-) транзисторов, а не БТИЗ, так как при низких напряжениях полевые транзисторы обладают меньшим сопротивлением.

ПрименениеПравить

Сборка на IGB-транзисторах для коммутации напряжения до 3300 В и тока до 1200 А

Основное применение БТИЗ — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.

Широкое применение БТИЗ нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте (после распространения асинхронных тяговых электродвигателей вместо ТЭД постоянного тока).

Применение IGBT-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.

БТИЗ применяют при работе с высокими напряжениями (более 1000 В), высокой температурой (более 100 °C) и высокой выходной мощностью (более 5 кВт). IGB-транзисторы используются в схемах управления двигателями (при рабочей частоте менее 20 кГц), источниках бесперебойного питания (с постоянной нагрузкой и низкой частотой) и сварочных аппаратах (где требуется большой ток и низкая частота — до 50 кГц).

IGBT и MOSFET занимают диапазон средних мощностей и частот, частично «перекрывая» друг друга. В общем случае, для высокочастотных низковольтных каскадов наиболее подходят МОП, а для высоковольтных мощных — БТИЗ.

В некоторых случаях БТИЗ и МОП-транзисторы полностью взаимозаменяемы, цоколёвка приборов и характеристики управляющих сигналов обоих устройств обычно одинаковы. IGBT и MOSFET требуют 12 — 15 В для полного включения и не нуждаются в отрицательном напряжении для выключения, как запираемый тиристор. Но «управляемый напряжением» не означает, что при переключении БТИЗ в цепи затвора отсутствует ток. Затвор БТИЗ (как и МОП-транзистора) для управляющей схемы является конденсатором с ёмкостью, достигающей единиц нанофарад (для мощных устройств), что определяет импульсный характер тока затвора. Драйвер затвора должен быть способным быстро заряжать и разряжать эту ёмкость, чтобы гарантировать быстрое переключение транзистора.

См. такжеПравить

ПримечанияПравить

↑ К. Д. Рогачёв Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Архивная копия от 28 сентября 2016 на Wayback Machine // «Рынок Микроэлектроники»
↑ Л. А. Потапов IGBT транзисторы Архивная копия от 11 января 2018 на Wayback Machine // «Школа для Электрика»
↑ О. В. Беликов. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT). — Новосибирский государственный университет, 2008. Архивная копия от 10 сентября 2016 на Wayback Machine
↑ Дьяконов В. П. и др. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. — М.: СОЛОН-Пресс, 2002. — 512 с.
↑ Дьяконов В. П. и др. Статические вольт-амперные характеристики ненасыщающихся составных транзисторов на биполярных и полевых транзисторах // Известия вузов. Приборостроение. — 1980. — № 4. — С. 6.
↑ Дьяконов В. П. и др. Сильноточные не насыщающиеся ключи на составных транзисторах // Электронная промышленность. — 1981. — № 2. — С. 56.
↑ Дьяконов В. П. Побистор или IGBT и имитационное моделирование устройств на них // Силовая Электроника. — 2010. — № 5. — С. 24—32. Архивировано 1 октября 2015 года.

СсылкиПравить

Принципы работы мощных MOSFET и IGBT Архивная копия от 19 ноября 2010 на Wayback Machine
Установка БТИЗ-модуля на трамвай Tatra KT4 № 107 научными сотрудниками Таллинского технического университета Архивная копия от 13 сентября 2007 на Wayback Machine (эст.)
Технические данные БТИЗ-модуля для трамвая Tatra KT4 Архивная копия от 13 сентября 2007 на Wayback Machine (эст.)
Рогачёв, К. Д. Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) : Устройство и особенности работы // KASUS.RU. — Электронный портал.
Е. Дуплякин — IGBT или MOSFET? Оптимальный выбор Архивная копия от 11 мая 2013 на Wayback Machine
Биполярные транзисторы с изолированным затвором для начинающих. IGBT for beginners

[gaw-1] К. Д. Рогачёв Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Архивная копия от 28 сентября 2016 на Wayback Machine // «Рынок Микроэлектроники»

[eschool-2] Л. А. Потапов IGBT транзисторы Архивная копия от 11 января 2018 на Wayback Machine // «Школа для Электрика»

[ngu-3] О. В. Беликов. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT). — Новосибирский государственный университет, 2008. Архивная копия от 10 сентября 2016 на Wayback Machine

[4] Дьяконов В. П. и др. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. — М.: СОЛОН-Пресс, 2002. — 512 с.

[5] Дьяконов В. П. и др. Статические вольт-амперные характеристики ненасыщающихся составных транзисторов на биполярных и полевых транзисторах // Известия вузов. Приборостроение. — 1980. — № 4. — С. 6.

[6] Дьяконов В. П. и др. Сильноточные не насыщающиеся ключи на составных транзисторах // Электронная промышленность. — 1981. — № 2. — С. 56.

[7] Дьяконов В. П. Побистор или IGBT и имитационное моделирование устройств на них // Силовая Электроника. — 2010. — № 5. — С. 24—32. Архивировано 1 октября 2015 года.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]